半導體物理學(第6版)（簡體書）

本書較全面地論述了半導體物理的基礎知識。全書共13章，主要內容為：半導體的晶格結構和電子狀態；雜質和缺陷能級；載流子的統計分布；載流子的散射及電導問題；非平衡載流子的產生、復合及其運動規律；半導體的表面和界面——包括pn結、金屬半導體接觸、半導體表面及MIS結構、半導體異質結；半導體的光、熱、磁、壓阻等物理現象和非晶半導體。
本書可作為工科電子信息類微電子技術、半導體器件專業學生的教材，也可供從事相關專業的科技人員參考。

主要參數符號表
第1章 半導體中的電子狀態
1.1 半導體的晶格結構和結合性質
1.1.1 金剛石型結構和共價鍵 
1.1.2 閃鋅礦型結構和混合鍵
1.1.3 纖鋅礦型結構
1.2 半導體中的電子狀態和能帶
1.2.1 原子的能級和晶體的能帶
1.2.2 半導體中電子的狀態和能帶
1.2.3 導體、半導體、絕緣體的能帶
1.3 半導體中電子的運動 有效質量
1.3.1 半導體中E(k)與k的關係
1.3.2 半導體中電子的平均速度
1.3.3 半導體中電子的加速度
1.3.4 有效質量的意義
1.4 本征半導體的導電機構空穴
1.5 回旋共振
1.5.1 k空間等能面
1.5.2 回旋共振
1.6 硅和鍺的能帶結構
1.6.1 硅和鍺的導帶結構
1.6.2 硅和鍺的價帶結構
1.7 ⅢⅤ族化合物半導體的能帶結構
1.7.1 銻化銦的能帶結構
1.7.2 砷化鎵的能帶結構
1.7.3 磷化鎵和磷化銦的能帶結構
1.7.4 混合晶體的能帶結構
1.8 ⅡⅥ族化合物半導體的能帶結構
1.8.1 二元化合物的能帶結構
1.8.2 混合晶體的能帶結構
1.9 Si1-x Ge x合金的能帶
1.10 寬禁帶半導體材料
1.10.1 SiC的晶格結構與能帶
1.10.2 GaN，AIN的晶格結構與能帶
習題
參考資料
第2章 半導體中雜質和缺陷能級
2.1 硅、鍺晶體中的雜質能級
2.1.1 替位式雜質 間隙式雜質
2.1.2 施主雜質、施主能級
2.1.3 受主雜質、受主能級
2.1.4 淺能級雜質電離能的簡單計算
2.1.5 雜質的補償作用
2.1.6 深能級雜質
2.2 ⅢⅤ族化合物中的雜質能級
2.3 缺陷、位錯能級
2.3.1 點缺陷
2.3.2 位錯
習題
參考資料
第3章 半導體中載流子的統計分布
3.1 狀態密度
3.1.1 k空間中量子態的分布
3.1.2 狀態密度
3.2 費米能級和載流子的統計分布
3.2.1 費米分布函數
3.2.2 玻耳茲曼分布函數
3.2.3 導帶中的電子濃度和價帶中的空穴濃度
3.2.4 載流子濃度乘積n0p0
3.3 本征半導體的載流子濃度
3.4 雜質半導體的載流子濃度
3.4.1 雜質能級上的電子和空穴
3.4.2 n型半導體的載流子濃度
3.5 一般情況下的載流子統計分布
3.6 簡并半導體
3.6.1 簡并半導體的載流子濃度
3.6.2 簡并化條件
3.6.3 低溫載流子凍析效應
3.6.4 禁帶變窄效應
*3.7 電子占據雜質能級的概率
3.7.1 求解統計分布函數
習題
參考資料
第4章 半導體的導電性
第5章 非平衡載流子
第6章 pn結
第7章 金屬和半導體的接觸
第8章 半導體表面與MIS結構
第9章 半導體異質結構
第10章 半導體的光學性質和光電與發光現象
第11章 半導體的熱電性質
第12章 半導體磁和壓阻效應
第13章 非晶態半導體
附錄A 常用物理常數和能量表達變換表
附錄B 半導體材料物理性質表
參考文獻