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晶體生長原理與技術(第2版)(簡體書)
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晶體生長原理與技術(第2版)(簡體書)

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商品簡介
目次

商品簡介

本書將在緒論中,對人工晶體生長的基本概念、研究範疇、研究歷史和晶體生長方法分類等基本概念進行簡要介紹,然後分4篇進行論述。第一篇為晶體生長的基本原理,將分5章,對晶體生長過程的熱力學和動力學原理,結晶界面形貌與結構,形核與生長的動力學過程進行描述。第二篇為晶體生長的技術基礎,將分3章,對晶體生長過程的涉及的傳熱、傳質及流體流動原理,晶體生長過程的化學原理和晶體生長過程控制涉及的物理原理進行論述。第三篇為晶體生長技術,將分4章對熔體生長(2章)、溶液生長、氣相生長的主要方法及其控制原理進行論述。第四篇,晶體的性能表徵與缺陷,將分2章,分別對晶體的結構、性能的主要表徵方法,晶體的結構缺陷形成與控制原理進行論述。

目次

第二版前言
第一版前言
第一篇 晶體生長的基本原理
第1章 導論
1.1 晶體的基本概念
1.1.1 晶體的結構特征
1.1.2 晶體結構與點陣
1.1.3 晶向與晶面
1.1.4 晶體的結構缺陷概述
1.2 晶體材料
1.2.1 常見晶體材料的晶體結構
1.2.2 按照功能分類的晶體材料
1.3 晶體生長技術的發展
1.4 晶體生長技術基礎及其與其他學科的聯系
參考文獻
第2章 晶體生長的熱力學原理
2.1 晶體生長過程的物相及其熱力學描述
2.1.1 氣體的結構及熱力學描述
2.1.2 液體的結構及熱力學描述
2.1.3 固體的結構及其熱力學參數
2.1.4 相界面及其熱力學分析
2.1.5 晶體生長的熱力學條件
2.2 單質晶體生長熱力學原理
2.2.1 單質晶體生長過程中的熱力學條件
2.2.2 液相及氣相生長的熱力學條件及驅動力
2.2.3 固態再結晶的熱力學條件
2.3 二元系的晶體生長熱力學原理
2.3.1 二元合金中的化學位
2.3.2 液-固界面的平衡與溶質分凝
2.3.3 氣-液及氣-固平衡
2.4 多組元系晶體生長熱力學分析
2.4.1 多元體系的自由能
2.4.2 多元系結晶過程的熱力學平衡條件
2.4.3 相圖計算技術的應用
2.5 化合物晶體生長熱力學原理
2.5.1 化合物分解與合成過程的熱力學分析
2.5.2 復雜二元及多元化合物體系的簡化處理
2.5.3 化合物晶體非化學計量比的成分偏離與晶體結構缺陷
2.5.4 熔體中的短程序及締合物
2.6 強磁場及高壓環境對晶體生長熱力學條件的影響
2.6.1 強磁場對晶體生長熱力學平衡條件的影響
2.6.2 高壓對晶體生長熱力學平衡條件的影響
參考文獻
第3章 晶體生長過程的形核原理
3.1 均質形核理論
3.1.1 熔體中的均質形核理論
3.1.2 氣相與固相中的均質形核
3.1.3 均質形核理論的發展
3.2 異質形核
3.2.1 異質形核的基本原理
3.2.2 異質外延生長過程中的形核
3.3 多元多相合金結晶過程中的形核
3.3.1 多組元介質中的形核
3.3.2 多相形核過程的分析
3.4 特殊條件下的形核問題
3.4.1 溶液中的形核
3.4.2 電化學形核
3.4.3 超臨界液體結晶過程中的形核
3.4.4 形核過程的實驗觀察與控制
參考文獻
第4章 晶體生長的動力學原理
4.1 結晶界面的微觀結構
4.1.1 結晶界面結構的經典模型
4.1.2 界面結構的Monte-Carlo(MC)模擬
4.2 結晶界面的原子遷移過程與生長速率
4.2.1 結晶界面上原沉積的途徑與過程
4.2.2 連續生長過程的原子沉積動力學

第二篇 晶體生長的技術基礎
第三篇 晶體生長技術
第四篇 晶體缺陷分析與性能表征

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