商品簡介
本書屬Springer材料科學系列教材之一，主要內容涉及目前蓬勃發展的高亮度可見光LED及照明工程等相關領域。包含的內容主要有：GaN體材料的應用前景、GaN材料的鹵化物氣相外延生長技術、採用GaN籽晶技術生長GaN體材料、採用真空輔助技術生長自支撐GaN襯底、採用鹵化物氣相外延生長技術生長非極性與半極性GaN、GaN高生長速率的金屬有機物氣相外延法、熱氨法生長GaN體材料、高/低壓環境下的GaN生長技術、Na流量法生在大尺寸GaN技術簡介、GaN晶體的表征方法等內容。
作者簡介
譯著作者王黨會，男，生於1976年。大學本科階段就讀於寶雞文理學院化學教育專業，掌握了扎實的化學基礎理論和基礎知識；碩士研究生階段就讀於西安電子科技大學技術物理學院，專業為材料科學與工程專業、師從杜磊教授，逐步掌握了半導體材料與器件的物理理論、工作原理和一般工藝技術；博士研究生階段就讀於西安電子科技大學微電子學院，師從郝躍院士，專業為微電子學與固態電子學，研究方向為III族氮化物外延層薄膜的生長與表征；掌握了GaN基高亮度藍光LED發光活性區InGaN/GaN多量子阱結構的MOCVD生長技術（雙氣流技術、緩衝層技術、成核層技術等）及表征技術（HRXRD、SEM、AFM、Raman散射及PL等。到目前為止，共發表學術論文14余篇，其中SCI檢索8篇（英文SCI主持檢索6篇、英文EI檢索2篇）；授權國家發明專利3項；主持陜西省科技廳、陜西省教育廳自然科學基礎研究項目各一項；支持西安石油大學青年科技項目2項，參與項目10余項；參與編寫教材2部，個人撰寫部分為12.2萬字。
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本中關於GaN的生長技術與方法，對進一步制備與生長其他高結晶質量的新型半導體材料（ZnO、CdSe、金剛石、石墨烯等）提供借鑒，為我國微電子產業、半導體技術和照明工程做出貢獻。
目次
章 GaN襯底體材料市場的發展
1.1 引言
1.2 III族氮化物器件的市場驅動力和展望
1.3體GaN襯底材料的優勢和重要性
1.4 體GaN襯底上GaN器件的發展趨勢
1.5體GaN襯底的發展趨勢
1.6 小結
參考文獻
第二章 GaN的氫化物氣相外延生長技術
2.1 引言
2.2 HVPE法生長GaN的熱力學分析
2.3 GaAs(100)襯底上的立方GaN生長
2.4 生長在GaAs（111）A和（111）B襯底上GaN性質的比較
2.5 GaAs(111)A和(111)B面上生長GaN初始生長過程的Ab Initio計算
2.6 GaAs(111)A襯底上厚GaN層的生長
2.7 Fe摻雜半絕緣GaN襯底的制備
參考文獻
第三章 HVPE法在GaN單晶上生長體GaN
3.1 引言
3.2 實驗過程
3.3 實驗結果
3.4 結論
參考文獻
第四章利用空洞輔助分離的HVPE生長自支撐GaN晶片
4.1 引言
4.2 HVPE-VAS技術概要
4.3 多孔TiN薄膜的GaN模板制備
4.4 GaN模板上多孔TiN薄膜的HVPE生長
4.5 HVPE-VAS技術制備GaN晶片的性能
4.6 小結
參考文獻
第五章非極性/半極性GaN的HVPE生長法
5.1引言
5.2 異質外延生長薄膜及襯底的選擇
5.3 極性/半極性GaN的橫向過生長技術
5.4 結論及展望
參考文獻
第六章 MOVPE高生長速率技術
6.1 引言
6.2 傳統MOVPE生長AlGaN和GaN的特性
6.3 氣相反應的量子化學研究
6.4 GaN高生長速率的高流速反應器生長
6.5 討論和總結
參考文獻
第七章氨堿條件下GaN的氨熱生長技術
7.1 引言
7.2 生長方法
7.3 晶體表征
7.4 氨熱法同質外延生長GaN
7.5 結論
參考文獻
第八章氨熱法生長體GaN
8.1 引言
8.2 礦化劑對氨熱法合成GaN的影響
8.3 GaN在氨堿溶液中的溶解度
8.4 金屬Ga為反應物的GaN籽晶生長
8.5 多晶GaN作為反應物的GaN籽晶生長
8.6 體GaN的生長及晶圓的切片
8.7 小結
參考文獻
第九章酸性氨熱法生長GaN工藝
9.1 簡介
9.2 酸性氨熱法生長GaN工藝簡史
9.3 生長工藝
9.4 溶液化學性質和生長機制
9.5 氨熱法制GaN的特性
9.6 氨熱法生長GaN的未來發展前景
參考文獻
第十章高壓溶液生長GaN
10.1 簡介
10.2 生長方法
10.3 HPS生長法自發結晶
10.4 HPS法生長GaN籽晶
10.5 壓生GaN襯底的應用: TopGaN Ltd的藍激光二極管
10.6 HPS生長方法綜述與展望
參考文獻
第十一章鈉流法生長大尺寸GaN晶體的簡要回顧
11.1 簡介
11.2 鈉流法歷史發展簡述
11.3 鈉流法液相外延生長GaN的實驗條件
11.4 生長機制和位錯
11.5 GaN屬性
11.6 鈉流法的工業潛力
參考文獻
第十二章低壓液態法生長GaN
12.1 簡介
12.2 在常壓下溶液生長技術，LPSG法
12.3 GaN層的結構和形貌演變
12.4 LPSG GaN材料的特性
12.5 總結和展望
參考文獻
第十三章 GaN襯底的光學性質
13.1 簡介
13.2 金屬有機氣相外延和鹵化物氣相外延生長GaN襯底的光學性質
13.3 氨熱法極性方向生長對籽晶GaN襯底光學性能的影響
13.4 位錯彎曲對氨熱法制GaN籽晶襯底光學屬性的影響
13.5 總結
參考文獻
第十四章基於正電子湮滅光譜學研究體GaN的點缺陷和雜質
14.1 簡介
14.2 正電子湮滅光譜學
14.3 In-Grown Defects缺陷的生長
14.4 缺陷機制
14.5 總結
參考文獻
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