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碳化矽技術基本原理：生長、表徵、器件和應用（簡體書）
- 系列名：新型電力電子器件叢書
- ISBN13：9787111586807
- 出版社：機械工業出版社
- 作者：(日)木本恆暢; (美)詹姆士‧A.庫珀
- 譯者：夏經華
- 裝訂／頁數：平裝／499頁
- 規格：23.5cm*16.8cm (高/寬)
- 版次：一版
- 出版日：2018/05/01
人民幣定價：150 元
定 價：NT$ 900 元
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商品簡介
作者簡介
目次
商品簡介
本書是一本有關碳化矽材料、器件工藝、器件和應用方面的書籍，其主題包括碳化矽的物理特性、晶體和外延生長、電學和光學性能的表徵、擴展缺陷和點缺陷，器件工藝、功率整流器和開關器件的設計理念，單／雙極型器件的物理和特徵、擊穿現象、高頻和高溫器件，以及碳化矽器件的系統應用，涵蓋了基本概念和新發展現狀，並針對每個主題做深入的闡釋，包括基本的物理特性、新的理解、尚未解決的問題和未來的挑戰。
作者簡介
木本恒暢，日本京都大學電子科學與工程系的教授。
目次
譯者序
原書前言
原書作者簡介
第１章 導論１
１.１ 電子學的進展１
１.２ 碳化矽的特性和簡史３
１.２.１ 早期歷史３
１.２.２ ＳｉＣ晶體生長的革新４
１.２.３ ＳｉＣ功率器件的前景和展示５
１.３ 本書提綱６ 參考文獻７
第２章 碳化矽的物理性質１０
第３章 碳化矽晶體生長３６
第４章 碳化矽外延生長７０
第５章 碳化矽的缺陷及表徵技術１１７
第６章 碳化矽器件工藝１７7
第７章 單極型和雙極型功率二極管２６２
第８章 單極型功率開關器件２８6
第９章 雙極型功率開關器件３３６
９.１ 雙極結型晶體管（ＢＪＴ） ３３６
９.１.１ 內部電流３３７
９.１.２ 增益參數３３８
９.１.３ 端電流３４０
９.１.４ 電流－電壓關係３４１
９.１.５ 集電區中的大電流效應：飽和和准飽和３４３
９.１.６ 基區中的大電流效應：Ｒｉｔｔｎｅｒ效應３４７
９.１.７ 集電區的大電流效應：二次擊穿和基區擴散效應３５１
９.１.８ 共發射極電流增益：溫度特性３５３
９.１.９ 共發射極電流增益：複合效應３５３
９.１.１０ 阻斷電壓３５５
９.２ 絕緣柵雙極型晶體管（ＩＧＢＴ） ３５６
９.２.１ 電流－電壓關係３５７
９.２.２ 阻斷電壓３６７
９.２.３ 開關特性３６８
９.２.４ 器件參數的溫度特性３７３
９.３ 晶閘管３７５
９.３.１ 正嚮導通模式３７７
９.３.２ 正向阻斷模式和觸發３８１
９.３.３ 開通過程３８６
９.３.４ ｄＶ／ｄｔ觸發３８８
９.３.５ ｄＩ／ｄｔ的限制３８９
９.３.６ 關斷過程３９０
９.３.７ 反向阻斷模式３９７
參考文獻３９７
第１０章 功率器件的優化和比較３９８
第１１章 碳化矽器件在電力系統中的應用４２５
第１２章 專用碳化矽器件及應用４６６
附錄４９０
附錄Ａ ４Ｈ－ＳｉＣ中的不完全雜質電離４９０
參考文獻４９４
附錄Ｂ 雙曲函數的性質４９４
附錄Ｃ 常見ＳｉＣ多型體主要物理性質４９７
Ｃ.１ 性質４９７
Ｃ.２ 主要物理性質的溫度和／或摻雜特性４９８
參考文獻４９９
原書前言
原書作者簡介
第１章 導論１
１.１ 電子學的進展１
１.２ 碳化矽的特性和簡史３
１.２.１ 早期歷史３
１.２.２ ＳｉＣ晶體生長的革新４
１.２.３ ＳｉＣ功率器件的前景和展示５
１.３ 本書提綱６ 參考文獻７
第２章 碳化矽的物理性質１０
第３章 碳化矽晶體生長３６
第４章 碳化矽外延生長７０
第５章 碳化矽的缺陷及表徵技術１１７
第６章 碳化矽器件工藝１７7
第７章 單極型和雙極型功率二極管２６２
第８章 單極型功率開關器件２８6
第９章 雙極型功率開關器件３３６
９.１ 雙極結型晶體管（ＢＪＴ） ３３６
９.１.１ 內部電流３３７
９.１.２ 增益參數３３８
９.１.３ 端電流３４０
９.１.４ 電流－電壓關係３４１
９.１.５ 集電區中的大電流效應：飽和和准飽和３４３
９.１.６ 基區中的大電流效應：Ｒｉｔｔｎｅｒ效應３４７
９.１.７ 集電區的大電流效應：二次擊穿和基區擴散效應３５１
９.１.８ 共發射極電流增益：溫度特性３５３
９.１.９ 共發射極電流增益：複合效應３５３
９.１.１０ 阻斷電壓３５５
９.２ 絕緣柵雙極型晶體管（ＩＧＢＴ） ３５６
９.２.１ 電流－電壓關係３５７
９.２.２ 阻斷電壓３６７
９.２.３ 開關特性３６８
９.２.４ 器件參數的溫度特性３７３
９.３ 晶閘管３７５
９.３.１ 正嚮導通模式３７７
９.３.２ 正向阻斷模式和觸發３８１
９.３.３ 開通過程３８６
９.３.４ ｄＶ／ｄｔ觸發３８８
９.３.５ ｄＩ／ｄｔ的限制３８９
９.３.６ 關斷過程３９０
９.３.７ 反向阻斷模式３９７
參考文獻３９７
第１０章 功率器件的優化和比較３９８
第１１章 碳化矽器件在電力系統中的應用４２５
第１２章 專用碳化矽器件及應用４６６
附錄４９０
附錄Ａ ４Ｈ－ＳｉＣ中的不完全雜質電離４９０
參考文獻４９４
附錄Ｂ 雙曲函數的性質４９４
附錄Ｃ 常見ＳｉＣ多型體主要物理性質４９７
Ｃ.１ 性質４９７
Ｃ.２ 主要物理性質的溫度和／或摻雜特性４９８
參考文獻４９９
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