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目次
書摘/試閱
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《氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件》以作者多年的研究成果為基礎，系統地介紹了Ⅲ族氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件的物理特性和實現方法，重點介紹了半導體高電子遷移率晶體管（HEMT）與相關氮化物材料。全書共14章，內容包括：氮化物材料的基本性質、異質外延方法和機理，HEMT材料的電學性質，AlCaN/GaN和InAlN/GaN異質結的生長和優化、材料缺陷分析，GaNHEMT器件的原理和優化、製備工藝和性能、電熱退化分析，GaN增強型HEMT器件和集成電路，GaNMOS-HEMT器件，最後給出了該領域未來技術發展的幾個重要方向。
《氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件》可供微電子、半導體器件和材料領域的研究生與科研人員閱讀參考。
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《氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件》以作者多年的研究成果為基礎，系統地介紹了Ⅲ族氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件的物理特性和實現方法，重點介紹了半導體高電子遷移率晶體管（HEMT）與相關氮化物材料。
目次
《半導體科學與技術叢書》出版說明
序言
第1章緒論
第2章Ⅲ族氮化物半導體材料的性質
第3章氮化物材料的異質外延生長和缺陷性質
第4章GaNHEMT材料的電學性質與機理
第5章AIGaN/GaN異質結材料的生長與優化方法
第6章AIGaN/GaN多異質結材料與電子器件
第7章脈衝MOCVD方法生長InAIN/GaN異質結材料
第8章Ⅲ族氮化物電子材料的缺陷和物性分析
第9章GaNHEMT器件的原理和優化
第10章GaNHEMT器件的製備工藝和性能
第11章GaNHEMT器件的電熱退化與可靠性
第12章GaN增強型HEMT器件和集成電路
第13章GaNMOS—HEMT器件
第14章氮化物半導體材料和電子器件的發展
附錄縮略語表
《半導體科學與技術叢書》已出版書目
序言
第1章緒論
第2章Ⅲ族氮化物半導體材料的性質
第3章氮化物材料的異質外延生長和缺陷性質
第4章GaNHEMT材料的電學性質與機理
第5章AIGaN/GaN異質結材料的生長與優化方法
第6章AIGaN/GaN多異質結材料與電子器件
第7章脈衝MOCVD方法生長InAIN/GaN異質結材料
第8章Ⅲ族氮化物電子材料的缺陷和物性分析
第9章GaNHEMT器件的原理和優化
第10章GaNHEMT器件的製備工藝和性能
第11章GaNHEMT器件的電熱退化與可靠性
第12章GaN增強型HEMT器件和集成電路
第13章GaNMOS—HEMT器件
第14章氮化物半導體材料和電子器件的發展
附錄縮略語表
《半導體科學與技術叢書》已出版書目
書摘/試閱
調制摻雜散射是庫侖散射，其散射中心是AlGaN勢壘層中與2DEG有一定距離的電離施主。因此施主密度不變而2DEG密度增大時，2DEG對庫侖力的屏蔽作用增強，散射作用減弱，遷移率增加。位錯散射也是庫侖散射，其散射中心是由懸掛鍵組成的帶電位錯線，線電荷密度為efDIS／c0（0），因此位錯散射遷移率也隨著2DEG密度增大而升高。
聲學形變勢散射的遷移率與ns2D－1／3成正比，因此隨2DEG密度增大而降低。壓電散射遷移率與2DEG密度有著復雜的先降后升的函數關系，在所涉及的2DEG密度下呈現上升趨勢。極性光學聲子散射遷移率則與2DEG密度有近指數下降的關系。
合金無序散射是AlGaN合金勢壘層中Al原子和Ga原子隨機分布引起的無規則勢起伏對2DEG滲入勢壘層部分的散射作用。勢壘層Al組分變化時，一方面合金無序程度（與x（1－x）成正比）會變化，在x=0.5時最強，Al組分偏離這個值時合金無序程度減弱；另一方面AlGaN／GaN界面的能量勢壘高度和2DEG密度會隨Al組分增大而升高。如圖4.13所示，當保持2DEG密度不變而勢壘層Al組分增大時，x≤0.5范圍內，除了在較低的Al組分下合金無序程度增加會導致散射增強以外，大部分的Al組分范圍內主要由于AlGaN／GaN界面的能量勢壘升高，2DEG滲入量減少，散射被削弱；在x≥0.5范圍內，異質界面勢壘仍在升高，合金無序程度則減小，散射被進一步削弱。若考慮2DEG密度隨勢壘層Al組分的變化，則合金無序散射遷移率仍由上述幾種機制的共同作用決定，但遷移率與Al組分的關系曲線在形狀上會有顯著的變化，在遷移率下降到最低點（x=0.5）然后上升的過程中，主導性的因素由2DEG密度的增大變為Al組分的上升。
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