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半導體材料與器件表徵(第3版)（簡體書）
- ISBN13：9787569302189
- 出版社：西安交通大學出版社
- 作者：(美)迪特爾‧K.施羅德
- 裝訂／頁數：平裝／715頁
- 規格：26cm*19cm (高/寬)
- 版次：一版
- 出版日：2017/12/01
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商品簡介
作者簡介
目次
商品簡介
《國外名校最新教材精選:半導體材料與器件表征(第3版)》第3版完全囊括了該領域的新發展現狀，並包括了新的教學手段，以幫助讀者能更好地理解。第3版不僅闡述了所有新的測量技術，而且檢驗了現有技術的新解釋和新應用。《國外名校最新教材精選:半導體材料與器件表征(第3版)》仍然是專門用于半導體材料與器件測量表征技術的教科書。覆蓋范圍包括全方位的電氣和光學表征方法，包括更專業化的化學和物理技術。
作者簡介
作者：（美國）迪特爾·K·施羅德（Dieter K.Schroder） 譯者：徐友龍 任巍 王杰 闕文修迪特爾·K·施羅德（Dieter K.Schroder）博士，美國亞利桑那州立大學電氣工程系教授。他是亞利桑那州立大學工學院教學優秀獎和幾個其它教學獎獲得者。除了《半導體材料與器件表征》這本書外，施羅德博士也是《先進MOS器件》的作者。
目次
譯者序
第3版序言
第1章電阻率
1.1引言
1.2兩探針與四探針法
1.2.1修正因子
1.2.2任意形狀樣品的電阻率
1.2.3測量電路
1.2.4測量誤差和注意事項
1.3晶片圖
1.3.1雙注入
1.3.2調制光反射
1.3.3載流子光照（CI）
1.3.4光學密度測定（光密度計）
1.4電阻壓型
1.4.1微分霍爾效應（DHE）
1.4.2擴散電阻壓型（SRP）
1.5非接觸測試方法
1.5.1渦旋電流
1.6導電類型
1.7優點和缺點
附錄1.1電阻率隨摻雜濃度的變化
附錄1.2本征載流子濃度
參考文獻
習題
復習題
第2章載流子與摻雜濃度
2.1引言
2.2電容—電壓特性（C—V）
2.2.1微分電容
2.2.2能帶偏移
2.2.3最大—最小MOS—C電容
2.2.4積分電容
2.2.5汞探針接觸
2.2.6電化學C—V測試儀（ECV）
2.3電容—電壓（I—V）
2.3.1MOSFET襯底電壓—柵極電壓
2.3.2MOSFET閾值電壓
2.3.3擴散電阻
2.4測量誤差及注意事項
2.4.1德拜長度和電壓擊穿
2.4.2串聯電阻
2.4.3少數載流子和界面陷阱
2.4.4二極管邊緣電容和雜散電容
2.4.5過剩漏電流
2.4.6深能級雜質／陷阱
2.4.7半絕緣襯底
2.4.8儀器限制
2.5霍爾效應
2.6光學技術
2.6.1等離子體共振
2.6.2自由載流子吸收
2.6.3紅外光譜學
2.6.4光致發光
2.7二次離子質譜分析法（SIMS）
2.8盧瑟福背散射（RBS）
2.9橫向分布
2.10優點和缺點
附錄2.1並聯或串聯連接
附錄2.2電路轉換
參考文獻
習題
復習題
第3章接觸電阻和肖特基勢壘
3.1引言
3.2金屬半導體接觸
3.3接觸電阻
3.4測量技術
3.4.1兩接觸兩端子法
3.4.2多接觸兩端子法
3.4.3四端子接觸電阻方法
3.4.4六端子接觸電阻方法
3.4.5非平面接觸
3.5肖特基勢壘高度
3.5.1電流—電壓
3.5.2電流—溫度
3.5.3容量—電壓
3.5.4光電流
3.5.5彈道電子發射顯微鏡（BEEM）
3.6方法間的比較
3.7優點和缺點
附錄3.1寄生電阻的影響
附錄3.2與半導體接觸的合金
參考文獻
習題
復習題
第4章串聯電阻，溝道長度與寬度，閾值電壓
4.1引言
4.2PN結二極管
4.2.1電流電壓關系
4.2.2開路電壓衰減（OCVD）
4.3肖特基二極管
4.3.1串聯電阻
4.4太陽能電池
4.4.1串聯電阻—多倍光強
4.4.2串聯電阻—恒定光強
4.4.3並聯電阻
4.5雙極晶體管
4.5.1發射極電阻
4.5.2集電極電阻
4.5.3基極電阻
4.6MOSFETs
4.6.1串聯電阻和溝道長度—電流—電壓
4.6.2溝道長度—電容電壓
4.6.3溝道寬度
4.7MESFETs和MODFETs
4.8閾值電壓
4.8.1線性插補
4.8.2漏電流恒定
4.8.3亞閾值漏電流
4.8.4跨導
4.8.5跨導微商
4.8.6漏電流比率
4.9贗MOSFET
4.10優點和缺點
附錄4.1肖特基二極管I—V方程
參考文獻
習題
復習題
第5章缺陷
5.1引言
5.2產生—復合統計
5.2.1圖示描述
5.2.2數學描述
5.3電容測量
5.3.1穩態測量
5.3.2瞬態測量
5.4電流測量
5.5電荷測量
5.6深能級瞬態光譜（DLTS）
5.6.1傳統的DLTS
5.6.2界面態陷阱電荷DLTS
5.6.3光學掃描DLTS
5.6.4注意事項
5.7熱刺激電容和電流
5.8正電子湮滅光譜（PAS）
5.9優點和缺點
附錄5.1激活能和俘獲截面
附錄5.2時間常數提取
附錄5.3Si和GaAs數據
參考文獻
習題
復習題
……
第6章柵氧電荷、界面陷阱電荷和柵氧厚度
第7章載流子壽命
第8章遷移率
第9章基于電荷和探針的表征技術
第10章光學表征
第11章化學和物理表征
第12章可靠性和失效分析
附錄1符號表
附錄2術語與縮寫
索引
第3版序言
第1章電阻率
1.1引言
1.2兩探針與四探針法
1.2.1修正因子
1.2.2任意形狀樣品的電阻率
1.2.3測量電路
1.2.4測量誤差和注意事項
1.3晶片圖
1.3.1雙注入
1.3.2調制光反射
1.3.3載流子光照（CI）
1.3.4光學密度測定（光密度計）
1.4電阻壓型
1.4.1微分霍爾效應（DHE）
1.4.2擴散電阻壓型（SRP）
1.5非接觸測試方法
1.5.1渦旋電流
1.6導電類型
1.7優點和缺點
附錄1.1電阻率隨摻雜濃度的變化
附錄1.2本征載流子濃度
參考文獻
習題
復習題
第2章載流子與摻雜濃度
2.1引言
2.2電容—電壓特性（C—V）
2.2.1微分電容
2.2.2能帶偏移
2.2.3最大—最小MOS—C電容
2.2.4積分電容
2.2.5汞探針接觸
2.2.6電化學C—V測試儀（ECV）
2.3電容—電壓（I—V）
2.3.1MOSFET襯底電壓—柵極電壓
2.3.2MOSFET閾值電壓
2.3.3擴散電阻
2.4測量誤差及注意事項
2.4.1德拜長度和電壓擊穿
2.4.2串聯電阻
2.4.3少數載流子和界面陷阱
2.4.4二極管邊緣電容和雜散電容
2.4.5過剩漏電流
2.4.6深能級雜質／陷阱
2.4.7半絕緣襯底
2.4.8儀器限制
2.5霍爾效應
2.6光學技術
2.6.1等離子體共振
2.6.2自由載流子吸收
2.6.3紅外光譜學
2.6.4光致發光
2.7二次離子質譜分析法（SIMS）
2.8盧瑟福背散射（RBS）
2.9橫向分布
2.10優點和缺點
附錄2.1並聯或串聯連接
附錄2.2電路轉換
參考文獻
習題
復習題
第3章接觸電阻和肖特基勢壘
3.1引言
3.2金屬半導體接觸
3.3接觸電阻
3.4測量技術
3.4.1兩接觸兩端子法
3.4.2多接觸兩端子法
3.4.3四端子接觸電阻方法
3.4.4六端子接觸電阻方法
3.4.5非平面接觸
3.5肖特基勢壘高度
3.5.1電流—電壓
3.5.2電流—溫度
3.5.3容量—電壓
3.5.4光電流
3.5.5彈道電子發射顯微鏡（BEEM）
3.6方法間的比較
3.7優點和缺點
附錄3.1寄生電阻的影響
附錄3.2與半導體接觸的合金
參考文獻
習題
復習題
第4章串聯電阻，溝道長度與寬度，閾值電壓
4.1引言
4.2PN結二極管
4.2.1電流電壓關系
4.2.2開路電壓衰減（OCVD）
4.3肖特基二極管
4.3.1串聯電阻
4.4太陽能電池
4.4.1串聯電阻—多倍光強
4.4.2串聯電阻—恒定光強
4.4.3並聯電阻
4.5雙極晶體管
4.5.1發射極電阻
4.5.2集電極電阻
4.5.3基極電阻
4.6MOSFETs
4.6.1串聯電阻和溝道長度—電流—電壓
4.6.2溝道長度—電容電壓
4.6.3溝道寬度
4.7MESFETs和MODFETs
4.8閾值電壓
4.8.1線性插補
4.8.2漏電流恒定
4.8.3亞閾值漏電流
4.8.4跨導
4.8.5跨導微商
4.8.6漏電流比率
4.9贗MOSFET
4.10優點和缺點
附錄4.1肖特基二極管I—V方程
參考文獻
習題
復習題
第5章缺陷
5.1引言
5.2產生—復合統計
5.2.1圖示描述
5.2.2數學描述
5.3電容測量
5.3.1穩態測量
5.3.2瞬態測量
5.4電流測量
5.5電荷測量
5.6深能級瞬態光譜（DLTS）
5.6.1傳統的DLTS
5.6.2界面態陷阱電荷DLTS
5.6.3光學掃描DLTS
5.6.4注意事項
5.7熱刺激電容和電流
5.8正電子湮滅光譜（PAS）
5.9優點和缺點
附錄5.1激活能和俘獲截面
附錄5.2時間常數提取
附錄5.3Si和GaAs數據
參考文獻
習題
復習題
……
第6章柵氧電荷、界面陷阱電荷和柵氧厚度
第7章載流子壽命
第8章遷移率
第9章基于電荷和探針的表征技術
第10章光學表征
第11章化學和物理表征
第12章可靠性和失效分析
附錄1符號表
附錄2術語與縮寫
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