微電子器件基礎（簡體書）

《微電子器件基礎》重點介紹pn結二極管、雙極型晶體管和場效應晶體管的基本結構、工作原理、直流特性、頻率特性、功率特性和開關特性，以及描述這些特性的有關參數；簡要介紹晶閘管、異質結雙極晶體管、靜電感應晶體管、絕緣柵雙極晶體管、單結晶體管、雙極反型溝道場效應晶體管和穿通型晶體管等微電子器件的基本概念、結構和工作原理。《微電子器件基礎》配有PPT等教學資源。《微電子器件基礎》可作為普通高等學校電子科學與技術、集成電路設計、微電子學等專業本科生相關課程的教材，也可供相關專業本科生、研究生以及從事微電子技術相關工作的科研及工程技術人員閱讀參考。

章 pn結二極管
1．1 pn結的形成及平衡狀態
1．2 pn結的直流特性
1．3 pn結空間電荷區和勢壘電容
1．4 pn結的小信號交流特性
1．5 pn結的擊穿特性
1．6 pn結二極管的開關特性
1．7 pn結二極管的其他類型
思考與練習
第2章 雙極型晶體管的直流特性
2．1 晶體管的基本結構和雜質分佈
2．2 晶體管的放大機理
2．3 晶體管的直流伏安特性及電流增益
2．4 晶體管的反向電流及擊穿電壓
2．5 雙極型晶體管的直流特性曲線
2．6 基極電阻
2．7 埃伯爾斯-莫爾（Ebers-Moll)模型
思考與練習
第3章 雙極型晶體管的頻率特性
3．1 晶體管交流電流放大係數與頻率參數
3．2 晶體管交流特性的理論分析
3．3 晶體管的高頻參數及等效電路
3．4 高頻下晶體管中載流子的輸運及中間參數
3．5 晶體管電流放大係數的頻率關係
3．6 晶體管的高頻功率增益和最高振盪頻率
3．7 工作條件對晶體管fr、Kpm的影響
思考與練習
第4章 雙極型晶體管的功率特性
4．1 集電極優選允許工作電流IcM
4．2 基區大注人效應對電流放大係數的影響
4．3 有效基區擴展效應
4．4 發射極電流集邊效應
4．5 晶體管優選耗散功率PcM
4．6 二次擊穿和安全工作區
思考與練習
第5章 雙極型晶體管的開關特性
5．1 開關晶體管的靜態特性
5．2 晶體管的開關過程和開關時間
5．3 開關晶體管的正向壓降和飽和壓降
思考與練習
第6章 結型柵場效應晶體管
6．1 JFET基本結構和工作原理
6．2 JFET的直流特性與低頻小信號參數
6．3 JFET的交流特性
6．4 JFET的功率特性
6．5 JFET和MESFET結構舉例
思考與練習
第7章 MOS場效應晶體管
7．1 MOSFET基本結構和工作原理
7．2 MOSFET的閾值電壓
7．3 MOSFET的伏安特性和直流特性曲線
7．4 MOSFET的頻率特性
7．5 MOSFET的功率特性和功率MOSFET的結構
7．6 MOSFET的開關特性
7．7 MOSFET的擊穿特性
7．8 MOSFET的溫度特性
7．9 MOSFET的短溝道和窄溝道效應
思考與練習
第8章 晶體管的噪聲特性
8．1 晶體管的噪聲和噪聲係數
8．2 晶體管的噪聲源
8．3 pn結二極管的噪聲
8．4 雙極型晶體管的噪聲特性
8．5 JFET和MESFET的噪聲特性
8．6 MOSFET的噪聲特性
思考與練習
第9章 其他類型的微電子器件
9．1 晶閘管
9．2 異質結雙極晶體管
9．3 靜電感應晶體管
9．4 絕緣柵雙極晶體管
9．5 單結晶體管
9．6 雙極反型溝道場效應晶體管
9．7 穿通型晶體管
附錄
附錄I 常溫下主要半導體的物理性質
附錄Ⅱ 常用介質膜的物理參數
附錄Ⅲ 常用物理常數表
附錄Ⅳ 矽電阻率與雜質濃度的關係(300K)
附錄V 矽中遷移率與雜質濃度的關係
附錄Ⅵ 擴散結勢壘電容和勢壘寬度關係曲線
附錄VII 矽中擴散層平均電導與表面濃度、結深關係
附錄VIII 半導體分立器件型號命名法
參考文獻