三民網路書店 中國圖書館分類法 / 工業技術 / 無線電電子學、電信技術 / 半導體技術 / 材料

本書為新能源類專業教學資源庫建設配套教材。本書主要講述了改良西門子法生產多晶矽的製備原理及生產過程，內容包括三氯氫矽的合成、精餾提純，三氯氫矽氫還原製備高純矽，尾氣幹法回收，矽芯的製備等核心內容，同時對氣體的製備與淨化、四氯化矽的綜合利用與處理、純水的製備做了詳細介紹。本書緊密結合生產實踐，注重理論與實踐的有機結合。書中配置了二維碼，可以即掃即學。本書可作為本科和高職院校太陽能光伏產業矽材料專業教

本書主要內容包括單晶爐的基本知識、直拉單晶爐、直拉單晶爐的熱系統及熱場、晶體生長控制器、原輔材料的準備、直拉單晶矽生長技術、鑄錠多晶矽工藝、摻雜技術等內容。本書可作為各類院校太陽能光伏產業矽材料技術專業、新能源專業的教材，也可作為單晶矽生產企業的員工培訓教材，還可作為相關專業工程技術人員的參考書。

本書主要介紹基於光學超晶格的光波長轉換技術，介紹光學超晶格的基本概念以及基於光學超晶格的光波長轉換基本原理，其中包括基於不同效應的光波長轉換原理及實現方案、耦合波方程的龍格庫塔解法、遺傳算法在光學超晶格結構設計中的應用；然後分別講解均勻分段結構光學超晶格、階梯分段結構光學超晶格、啁啾結構光學超晶格及其在光波長轉換中的應用；之後探討光學超晶格在頻率上轉換單光子探測技術中的應用。本書可作為高等院校通信、光學等相關專業本科生、研究生的教學用書，也可作為非線性光學、光學材料相關專業研究人員和工程技術人員的參考用書。

《太陽能光伏產業：半導體硅材料基礎（第2版）》共分12章，較全面地講述了有關硅材料的基本知識。內容包括硅材料的發展史與當前的市場狀況；半導體材料的基本性質；晶體結構及其結構缺陷；能帶理論的基本知識；pn結和金屬半導體接觸的特性；硅材料的制備；化合物半導體材料的基本特性及用途；硅材料的加工。重點講述了制備高純多晶硅的三氯氫硅氫還原法，制備硅單晶的直拉法和澆鑄多晶硅的制備方法以及雜質在硅中的特性；

《多尺度模擬方法在半導體材料位移損傷研究中的應用》系統介紹了用於材料位移損傷研究的多尺度模擬方法，包括輻射與材料相互作用模擬方法、分子動力學方法、動力學蒙特卡羅方法、第一性原理方法、器件電學性能模擬方法等，模擬尺寸從原子尺度的10.10m到百納米，時間從亞皮秒量級到106s，並給出了多尺度模擬方法在矽、砷化鎵、碳化矽、氮化鎵材料位移損傷研究中的應用，揭示了典型半導體材料的位移損傷機理和規律，在核技術和輻射物理學科的發展、位移損傷效應研究、人才培養等方面具有重要的學術意義和應用價值。

本書主要講述了改良西門子法生產多晶硅的制備原理。內容包括多晶硅原料制備、原料提純、多晶硅制備、尾氣回收、硅芯的制備等核心內容，同時對超純水的制備，氫氣、氯氣的制備和凈化作了詳細介紹。本書緊密結合生產實踐，注重了理論與實踐的有機結合。 本書可作為高職高專硅材料技術及光伏專業的教材，同時也可作為中專、技校和從事單晶硅生產的企業員工的培訓教材，還可供相關專業工程技術人員學習參考。

本書概述了氮化物半導體及其在功率電子和光電子器件中的應用，解釋了這些材料的物理特性及其生長方法，詳細討論了它們在高電子遷移率晶體管、垂直型功率器件、發光二極管、激光二極管和垂直腔面發射激光器中的應用。本書進一步研究了這些材料的可靠性問題，並提出了將它們與2D材料結合用於新型高頻和高功率器件的前景。本書具有較好的指導性和借鑒性，可作為功率電子和光電子器件領域研究人員和工程人員的參考用書。

本書主要以幾種新型的納米多孔GaN基薄膜為研究對象，系統地介紹了其納米孔結構的製備及特性研究，為其在光解水、發光器件、柔性器件及可穿戴設備等領域的應用奠定了理論和實驗基礎。 本書所介紹的納米多孔GaN基薄膜材料與器件的製備、測試和表徵方法可為從事寬禁帶半導體的研究人員提供參考，也可作為高等院校微電子專業研究生學習薄膜生長、微納濕法刻蝕工藝、性能測試和表徵的參考資料。

《半導體材料(第四版)》介紹了主要半導體材料矽、砷化鎵等製備的基本原理和工藝，以及特性的控制等。《半導體材料(第四版)》共13章：第1章為矽和鍺的化學製備，第2章為區熔提純，第3章為晶體生長，第4章為矽、鍺晶體中的雜質和缺陷，第5章為矽外延生長，第6章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體，第7章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的外延生長，第8章為Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導體，第9章為Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體，第10章為低維結構半導體材料，第11章為氧化物半導體材料，第12章為寬禁帶半導體材料，第13章為其他半導體材料。

《Si Cp/Al-Si基複合材料的製備技術及組織性能》針對Si Cp/Al-Si複合材料製備及加工過程中微觀組織、界面結構及性能難以控制的難題，介紹粉末冶金法製備工藝，採用碳化矽預處理、基體微合金化、稀土氧化物變質及細化處理等措施製備了Si Cp/Al-30Si、Si Cp/Al-19Si-Cu-Mg、氧化態Si Cp/Al-19Si-Cu-Mg、納米Si Cp/Al-12Si-Cu-Mg複合材料。《Si Cp/Al-Si基複合材料的製備技術及組織性能》闡明複合材料微觀結構演變規律、界面結構及增強相特徵與性能的關聯性，揭示了基於界面效應與第二相協同作用的強韌化機制，實現輕質高強低膨脹複合材料的可控制備，為Si Cp/Al-Si複合材料應用提供技術支撐。

隨著信息技術的飛速發展，半導體材料的應用逐漸從集成電路拓展到微波、功率和光電等應用領域。傳統元素半導體矽材料不再能滿足這些多元化需求，化合物半導體應運而生並快速發展。本書以浙江大學材料科學工程學系“寬禁帶化合物半導體材料與器件”課程講義為基礎，參照全國各高等院校半導體材料與器件相關教材，結合課題組多年的研究成果編寫而成。此書的編寫目的是為高等院校學生提供一本學習和掌握化合物半導體材料與器件的參考書。

本書以作者近年來的研究成果為基礎，結合國際研究進展，系統地介紹了金剛石超寬禁帶半導體器件的物理特性和實現方法，重點介紹了氫終端金剛石場效應管器件。全書共8章，內容包括緒論、金剛石的表面終端、氫終端金剛石場效應管的原理和優化、金剛石微波功率器件、基於各種介質的氫終端金剛石MOSFET、金剛石高壓二極管、石墨烯/金剛石複合器件及金剛石半導體器件的展望。本書可供微電子、半導體器件和材料領域的研究生與科研人員閱讀。

本書以第三代半導體與二維材料相結合的產業化應用為目標，詳細介紹了二維材料上準範德華外延氮化物的理論計算、材料生長、器件制備和應用，內容集學術性與實用性於一體。全書共8章，內容包括二維材料及準範德華外延原理及應用、二維材料/氮化物準範德華外延界面理論計算、二維材料/氮化物準範德華外延成鍵成核、單晶襯底上氮化物薄膜準範德華外延、非晶襯底上氮化物準範德華外延、準範德華外延氮化物的柔性剝離及轉移、準範德華外延氮化物器件散熱以及Ⅲ族二維氮化物。全書內容新穎，循序漸進，理論性和應用性強，可供從事第三代半導體材料以及半導體照明領域相關的研究生、科研人員與企業研發人員等閱讀參考。

氧化鎵作為新型的寬禁帶半導體材料，在高壓功率器件、深紫外光電器件、高亮度LED等方面具有重要的應用前景。本書從氧化鎵半導體材料的發展歷程、材料特性、材料制備原理與技術及電學性質調控等幾個方面做了較全面的介紹，重點梳理了作者及國內外同行在單晶制備方法、襯底加工、薄膜外延方面的研究成果；系統闡述了獲得高質量體塊單晶及薄膜的思路和方法，並對氧化鎵的發展進行了綜述和展望。 本書可作為寬禁帶半導體材料與器件相關的半導體、材料、化學、微電子等專業研究人員及理工科高校教師、研究生、高年級本科生的參考書或工具書，也可供其他對寬禁帶半導體材料氧化鎵感興趣的人員參考。

《基於表面改性的氮化鎵納米材料》本書主要介紹了第一性原理模擬方法及其在計算機模擬中各種參數的設置和實際模擬中的參數選擇，同時闡述了該方法在基於表面改性設計的氮化鎵/氮化銦納米線、氮化鎵納米薄膜等納米材料在外場(電場或應變場)作用下電學性質和磁學性質研究中的應用，並將材料進一步拓展到外場下表面改性的類石墨烯(錫烯和鍺烯等)納米材料。本書可供從事半導體納米材料的科研人員和工程技術人員使用，也可作為高等院校相關專業師生的參考用書。

本書講述了傳統軟釺料合金在微電子工業中已得到了廣泛的應用，然而軟釺料合金已經不能滿足第三代寬禁帶半導體（碳化矽和氮化鎵）器件的高溫應用需求。新型銀燒結/銅燒結技術和瞬態液相鍵合技術是實現高溫器件可靠連接的關鍵技術，該技術對新能源電動汽車、軌道交通、光伏、風電以及國防等領域具有重要意義。本書較為全面地介紹了當前用於高溫環境下的芯片連接所涉及的新型互連材料的理論基礎、工藝方法、失效機制、工藝設備、質量控制與可靠性。

GaN基寬禁帶半導體異質結構具有很高的應用價值，是發展高頻、高功率電子器件*優選的半導體材料。本書基於國內外GaN基電子材料和器件的發展現狀和趨勢，從晶體結構、能帶結構、襯底材料、外延生長、射頻電子器件和功率電子器件研制等方面詳細論述了GaN基半導體異質結構和二維電子氣的物理性質、國內外發展動態、面臨的關鍵科學技術問題、主要的材料和器件研發成果及其應用情況和發展前景。本書可作為相關專業高年級本科生和研究生的教學參考用書，可為從事寬禁帶半導體電子材料和器件研發及生產的科技工作者、企業工程技術人員提供參考，也可供從事該領域科研和高技術產業管理的企業家和政府官員使用。

《氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件》以作者多年的研究成果為基礎，系統地介紹了Ⅲ族氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件的物理特性和實現方法，重點介紹了半導體高電子遷移率晶體管（HEMT）與相關氮化物材料。全書共14章，內容包括：氮化物材料的基本性質、異質外延方法和機理，HEMT材料的電學性質，AlCaN/GaN和InAlN/GaN異質結的生長和優化、材料缺陷分析，GaNHEMT器件的原理和優化、製備工藝