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2017~2018 (1)
2013~2014 (3)

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平裝 (2)

作者


莊福聰、張進成 (2)
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郝躍、張金風、張進成 (1)

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1.面面觀數學B總複習講義(附解答不分售)

作者:莊福聰;張進成  出版社:信樺文化  出版日:2018/04/01 裝訂:平裝

本書係依據民國九十七年教育部修正發布之「職業學校群科課程一般科目數學領域B課程綱要」,並擷取最新各版本教科書的精華編輯而成,內容新穎,適合學生輔導與自我充實使用。

定價:463元   優惠價: 85394

庫存:2
高中‧高職優勢班

2.輕鬆學數學C總複習講義(附解答不分售)

作者:張進成   出版社:信樺文化  出版日:2013/09/01

本書內容編輯特色如下:1.重點整理 本書重點表格化呈現,迅速掌握學習方向及重點,輕鬆易學,獲致事半功倍的效 果。2.範例精選 針對統測的命題趨勢精選例題,著重基礎觀念、簡單易懂。3.掌握命題趨勢 標示在部分範例之後,提示該節「命題趨勢」相對應題目所應用到的解題觀念。4.觀念100% 針對學生容易產生混淆、錯誤的觀念加以澄清,使學生獲得正確的數學概念。5.命題趨勢 透過歷屆試題練習,瞭解考題趨勢,在

定價:378元   優惠價: 85321

庫存:3
高中‧高職優勢班

3.數學C總複習溫故知新熟能生巧(附解答不分售)

作者:莊福聰;張進成  出版社:信樺文化  出版日:2013/04/01 裝訂:平裝

數學C總複習 練習試題分為第一到第二十周的例題供學生練習還有第一到第五回模擬試題附有解答本

定價:231元   優惠價: 85196

庫存:5
高中‧高職優勢班

4.氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件(簡體書)

作者:郝躍;張金風;張進成  出版社:科學出版社  出版日:2013/03/01

《氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件》以作者多年的研究成果為基礎,系統地介紹了Ⅲ族氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件的物理特性和實現方法,重點介紹了半導體高電子遷移率晶體管(HEMT)與相關氮化物材料。全書共14章,內容包括:氮化物材料的基本性質、異質外延方法和機理,HEMT材料的電學性質,AlCaN/GaN和InAlN/GaN異質結的生長和優化、材料缺陷分析,GaNHEMT器件的原理和優化、製備工藝

定價:516元   優惠價: 83428

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