矽積體電路製程的特徵及尺寸縮小到深次微米（deep submicron meter），經歷幾個階段，0.35μm、0.25μm、0.18μm；有可能在不久的將來到達0.13μm、0.10μm，甚或到達極限值的0.07μm。相關的製程、設備、材料或廠務設施，都有革命性的更新和進步。微影照像是受到影響最大的製程。 DRAM的電晶體的閘極結構和材料、工程。高介電常數

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奈米建材

出版日：2004/11/01 作者：張勁燕 出版社：五南圖書出版 裝訂：平裝

本書重點介紹了新型建築材料、奈米複合建築塗料、奈米孔超級絕熱材料、奈米光催化技術及其在建材中的應用、奈米材料在防水密封材料中的應用、奈米塑料、奈米抗菌材料及其應用、奈米材料在掍凝土材料中的應用等內容。本書注重應用，內容由淺入深，技術實用可行，可使廣大科技人員、企業管理人員、技術工人進一步了解和掌握奈米技術的基本知識和奈米技術對建材技術的推動作用，並利用這一高科技研製生產出性能更好的建築材料與

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電子材料

出版日：2004/05/01 作者：張勁燕 出版社：五南圖書出版 裝訂：平裝

電子材料包括範圍很廣，材料結構、材料物理或化學、半導體、超導體、液晶顯示器、薄膜電晶體、積體光學、全像術、微機電、醫工、感測器等等·本書專注半導體一個領域。重點在製造半導體元件所用的各種材料；長晶材料、晶圓製程材料、製程用材料、機器設備用材料、無塵室和廠務設施用材料、封裝材料等，本書均有詳盡的敘述。編著者十幾年來一直在從事半導體相關的教學、收集了不少寶貴的資料。以將近一年的時間編著了這本

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半導體製程設備

出版日：2009/09/01 作者：張勁燕 出版社：五南圖書出版 裝訂：平裝

半導體元件由矽土製成矽晶圓，再經數百個製程步驟，才製作出 256M 級的 DRAM 。這期間所使用的機器，主要的也不過十數種，晶圓成長爐、磊晶反應器、步進照相儀、化學氣相沉積爐、氧化和擴散高溫爐、離子植入機、乾蝕刻機、電子束蒸鍍機、濺鍍機、化學機械研磨機等，以及封裝製程設備、真空幫浦及系統洗淨機器等主要支援設備。本書對這些機器的構造和操作原理都有詳盡的敘述。砷化鋒III- V 化合物半

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VLSI概論

出版日：2008/12/01 作者：張勁燕編著 出版社：五南圖書出版 裝訂：平裝

矽積體電路製程的特徵尺寸縮小到深次微米(deep submicron meter)，經歷幾個階段，0.35μm、0.25μm、0.18μm、0.13μm、，現階段已到達0.07μm。相關的製程、設備、材料或場務設施，都有革命性的更新和進步。微影照像是受到影響最大的製程。DRAM的電晶體的閘極結構和材料、工程。高介電常數材料使電容量保持夠大。金屬化製程、阻障層、內嵌、快閃、鐵電記憶體結構等。高深寬比

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Beiser：Concepts of Modern Physics 6/E(近代物理)

出版日：2005/01/01 作者：張勁燕; 導讀 出版社：MC 裝訂：平裝

近一世紀，由於近代物理的蓬勃發展，包括愛因斯坦的相對論等，許多理論相繼出籠，全球科技也隨之突飛猛進，尤其是電子科技、光電科技和奈米科技等領域。若想進一步鑽研這些領域，對近代物理的了解更是不可或缺。本書主要介紹原子、分子、固態及原子內結構內的一些物理基本性質，不僅是所有理工科系學生的學習基礎，對電子、電機、材料、光電、物理、化學等熱門科系學生而言，更是其專業領域內進階課程之必備

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共 7筆

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