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商品簡介
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本書分為七章，第一章為前言；第二章闡釋功率半導體器件的結終端和RESURF技術；第三章分析超結的機理、解析模型、結構和工藝製造；第四章闡述SOI高壓器件ENDIF理論和技術，並詳細介紹ENDIF理論指導下提出的3類SOI高壓器件新結構和耐壓機理：電荷型SOI高壓器件，低K型SOI高壓器件，薄矽層SOI高壓器件；推導獲得新型SOI器件的耐壓模型；給出研製步驟並分析實驗結果。第五章詳細介紹矽基高壓器件體內場降低技術，並討論系列新型REBULF高壓器件的機理和設計方法，給出研製方法和實驗結果。第六章闡述功率半導體器件發展。第七章結束語。
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