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作者
陶緒堂、穆文祥、賈志泰、葉建東（1）
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寬禁帶半導體氧化鎵：結構、製備與性能（簡體書）
作者：
陶緒堂
;
穆文祥
;
賈志泰
;
葉建東
出版社：
西安電子科技大學出版社
出版日：
2022/09/01
裝訂：
精裝
氧化鎵作為新型的寬禁帶半導體材料，在高壓功率器件、深紫外光電器件、高亮度LED等方面具有重要的應用前景。本書從氧化鎵半導體材料的發展歷程、材料特性、材料制備原理與技術及電學性質調控等幾個方面做了較全面的介紹，重點梳理了作者及國內外同行在單晶制備方法、襯底加工、薄膜外延方面的研究成果；系統闡述了獲得高質量體塊單晶及薄膜的思路和方法，並對氧化鎵的發展進行了綜述和展望。 本書可作為寬禁帶半導體材料與器件相關的半導體、材料、化學、微電子等專業研究人員及理工科高校教師、研究生、高年級本科生的參考書或工具書，也可供其他對寬禁帶半導體材料氧化鎵感興趣的人員參考。
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