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半導體科學與技術叢書

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氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件(簡體書)
87 折
出版日:2022/02/22 作者:郝躍; 張金風; 張進成  出版社:科學出版社  裝訂:精裝
《氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件》以作者多年的研究成果為基礎,系統地介紹了Ⅲ族氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件的物理特性和實現方法,重點介紹了半導體高電子遷移率晶體管(HEMT)與相關氮化物材料。全書共14章,內容包括:氮化物材料的基本性質、異質外延方法和機理,HEMT材料的電學性質,AlCaN/GaN和InAlN/GaN異質結的生長和優化、材料缺陷分析,GaNHEMT器件的原理和優化、製備工藝
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