電子科技大學出版社

本書以作者近年來的研究成果為基礎，結合國際研究進展，系統地介紹了金剛石超寬禁帶半導體器件的物理特性和實現方法，重點介紹了氫終端金剛石場效應管器件。全書共8章，內容包括緒論、金剛石的表面終端、氫終端金剛石場效應管的原理和優化、金剛石微波功率器件、基於各種介質的氫終端金剛石MOSFET、金剛石高壓二極管、石墨烯/金剛石複合器件及金剛石半導體器件的展望。本書可供微電子、半導體器件和材料領域的研究生與科研人員閱讀。

本書以第三代半導體與二維材料相結合的產業化應用為目標，詳細介紹了二維材料上準範德華外延氮化物的理論計算、材料生長、器件制備和應用，內容集學術性與實用性於一體。全書共8章，內容包括二維材料及準範德華外延原理及應用、二維材料/氮化物準範德華外延界面理論計算、二維材料/氮化物準範德華外延成鍵成核、單晶襯底上氮化物薄膜準範德華外延、非晶襯底上氮化物準範德華外延、準範德華外延氮化物的柔性剝離及轉移、準範德華外延氮化物器件散熱以及Ⅲ族二維氮化物。全書內容新穎，循序漸進，理論性和應用性強，可供從事第三代半導體材料以及半導體照明領域相關的研究生、科研人員與企業研發人員等閱讀參考。

氧化鎵作為新型的寬禁帶半導體材料，在高壓功率器件、深紫外光電器件、高亮度LED等方面具有重要的應用前景。本書從氧化鎵半導體材料的發展歷程、材料特性、材料制備原理與技術及電學性質調控等幾個方面做了較全面的介紹，重點梳理了作者及國內外同行在單晶制備方法、襯底加工、薄膜外延方面的研究成果；系統闡述了獲得高質量體塊單晶及薄膜的思路和方法，並對氧化鎵的發展進行了綜述和展望。 本書可作為寬禁帶半導體材料與器件相關的半導體、材料、化學、微電子等專業研究人員及理工科高校教師、研究生、高年級本科生的參考書或工具書，也可供其他對寬禁帶半導體材料氧化鎵感興趣的人員參考。

本書主要介紹近幾年發展較快的氧化鎵半導體器件。氧化鎵作為新型的超寬禁帶半導體材料，在高耐壓功率電子器件、紫外光電探測器件等方面都具有重要的應用前景。本書共分為7章，第1～4章（氧化鎵材料部分）介紹了氧化鎵半導體材料的基本結構，單晶生長和薄膜外延方法，電學特性，氧化鎵材料與金屬、其他半導體的接觸，氧化鎵材料的刻蝕、離子注入、缺陷修復等內容；第5～7章（氧化鎵器件部分）介紹了氧化鎵二極管器件的應用方向、器件類型及其發展歷程，氧化鎵場效應晶體管的工作原理、性能指標、器件類型、發展歷程以及今後的發展方向，氧化鎵日盲深紫外光電探測器的工作原理、器件類型、成像技術等。 本書可作為寬禁帶半導體材料與器件相關的半導體、材料、化學、微電子等專業研究人員及理工科高等院校的教師、研究生、高年級本科生的參考書和工具書，也可作為其他對氧化鎵寬禁帶半導體器件感興趣的研究人員的參考資料。

GaN基寬禁帶半導體異質結構具有很高的應用價值，是發展高頻、高功率電子器件*優選的半導體材料。本書基於國內外GaN基電子材料和器件的發展現狀和趨勢，從晶體結構、能帶結構、襯底材料、外延生長、射頻電子器件和功率電子器件研制等方面詳細論述了GaN基半導體異質結構和二維電子氣的物理性質、國內外發展動態、面臨的關鍵科學技術問題、主要的材料和器件研發成果及其應用情況和發展前景。本書可作為相關專業高年級本科生和研究生的教學參考用書，可為從事寬禁帶半導體電子材料和器件研發及生產的科技工作者、企業工程技術人員提供參考，也可供從事該領域科研和高技術產業管理的企業家和政府官員使用。