Physics of Semiconductor Devices

這本經典的書籍在半導體元件領域中，樹立了先進的研究以及參考的標準，現在第三版的內容徹底更新並將架構重新組織，以反應元件概念以及品質上的巨大進展。第三版維持最詳細且徹底的資料在最重要的半導體元件上，使讀者立即獲得重要的元件物理知識以及詳細的元件特性，包含主要的雙載子、場效、微波、光子以及偵測元件。非常適合作為電機、電子、物理、材料等科系大學高年級生及研究生修習半導體相關課程使用。也適合作為半導體產業

最新、最詳細、最完整的半導體元件參考書籍《半導體元件物理學》（Physics of Semiconductor Devices）這本經典著作，一直為主修應用物理、電機與電子工程，以及材料科學的大學研究生主要教科書之一。由於本書包括許多在材料參數及元件物理上的有用資訊，因此也適合研究與發展半導體元件的工程師及科學家們當作主要參考資料。Physics of Semiconductor Devices第三版在2007 年出版後（中譯本上、下冊分別在2008 年及2009 年發行），已有超過1,000,000 篇與半導體元件的相關論文被發表，並且在元件概念及性能上有許多突破，顯然需要推出更新版以繼續達到本書的功能。在第四版，有超過50% 的材料資訊被校正或更新，並將這些材料資訊全部重新整理。全書共有「半導體物理」、「元件建構區塊」、「電晶體」、「負電阻與功率元件」與「光子元件與感測器」等五大部分：第一部分「半導體物理」包括第一章，總覽半導體的基本特性，作為理解以及計算元件特性的基礎；第二部分「元件建構區塊」包含第二章到第四章，論述基本的元件建構區段，這些基本的區段可以構成所有的半導體元件；第三部分「電晶體」以第五章到第八章來討論電晶體家族；第四部分從第九章到第十一章探討「負電阻與功率元件」；第五部分從第十二章到第十四章介紹「光子元件與感測器」。（中文版上冊收錄一至七章、下冊收錄八至十四章）▍第四版特色1.超過50%的材料資訊被校正或更新，完整呈現和修訂最新發展元件的觀念、性能和應用。2.保留了基本的元件物理，加上許多當代感興趣的元件，例如負電容、穿隧場效電晶體、多層單元與三維的快閃記憶體、氮化鎵調變摻雜場效電晶體、中間能帶太陽能電池、發射極關閉晶閘管、晶格—溫度方程式等。3.提供實務範例、表格、圖形和插圖，幫助整合主題的發展，每章附有大量問題集，可作為課堂教學範例。4.每章皆有關鍵性的論文作為參考，以提供進一步的閱讀。

最新、最詳細、最完整的半導體元件參考書籍《半導體元件物理學》（Physics of Semiconductor Devices）這本經典著作，一直為主修應用物理、電機與電子工程，以及材料科學的大學研究生主要教科書之一。由於本書包括許多在材料參數及元件物理上的有用資訊，因此也適合研究與發展半導體元件的工程師及科學家們當作主要參考資料。Physics of Semiconductor Devices第三版在2007 年出版後（中譯本上、下冊分別在2008 年及2009 年發行），已有超過1,000,000 篇與半導體元件的相關論文被發表，並且在元件概念及性能上有許多突破，顯然需要推出更新版以繼續達到本書的功能。在第四版，有超過50% 的材料資訊被校正或更新，並將這些材料資訊全部重新整理。全書共有「半導體物理」、「元件建構區塊」、「電晶體」、「負電阻與功率元件」與「光子元件與感測器」等五大部分：第一部分「半導體物理」包括第一章，總覽半導體的基本特性，作為理解以及計算元件特性的基礎；第二部分「元件建構區塊」包含第二章到第四章，論述基本的元件建構區段，這些基本的區段可以構成所有的半導體元件；第三部分「電晶體」以第五章到第八章來討論電晶體家族；第四部分從第九章到第十一章探討「負電阻與功率元件」；第五部分從第十二章到第十四章介紹「光子元件與感測器」。（中文版上冊收錄一至七章、下冊收錄八至十四章，下冊預定於2022年12月出版）▍第四版特色1.超過50%的材料資訊被校正或更新，完整呈現和修訂最新發展元件的觀念、性能和應用。2.保留了基本的元件物理，加上許多當代感興趣的元件，例如負電容、穿隧場效電晶體、多層單元與三維的快閃記憶體、氮化鎵調變摻雜場效電晶體、中間能帶太陽能電池、發射極關閉晶閘管、晶格—溫度方程式等。3.提供實務範例、表格、圖形和插圖，幫助整合主題的發展，每章附有大量問題集，可作為課堂教學範例。4.每章皆有關鍵性的論文作為參考，以提供進一步的閱讀。

The new edition of the most detailed and comprehensive single-volume reference on major semiconductor devices The Fourth Edition of Physics of Semiconductor Devices remains the standard reference work on the fundamental physics and operational characteristics of all major bipolar, unipolar, special microwave, and optoelectronic devices. This fully updated and expanded edition includes approximately 1,000 references to original research papers and review articles, more than 650 high-quality technical illustrations, and over two dozen tables of material parameters. Divided into five parts, the text first provides a summary of semiconductor properties, covering energy band, carrier concentration, and transport properties. The second part surveys the basic building blocks of semiconductor devices, including p-n junctions, metal-semiconductor contacts, and metal-insulator-semiconductor (MIS) capacitors. Part III examines bipolar transistors, MOSFETs (MOS field-effect transistors), and other

The purpose of this workshop is to spread the vast amount of information available on semiconductor physics to every possible field throughout the scientific community. As a result, the latest finding

《半導體器件物理》這本經典著作在半導體器件領域已經樹立起了先進的學習和參考典范。此書的第3版保留了重要半導體器件的最為詳盡的知識內容，并做了更新和重新組織，反映了當今器件在概念和性能等方面的巨大進展，它可以使讀者快速地了解當今半導體物理和所有主要器件，如雙極、場效應、微波、光子器件和傳感器的性能特點。本書專為研究生教材和參考所需設計，新版本包括：以最新進展進行了全面更新；包括了對三維MOSFET、