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半導體材料物理學是半導體材料學、半導體物理學和半導體器件物理學的交叉。它研究材料制備與加工過程對材料物理特性的影響以及材料特性與器件特性之間的聯系。本書側重于從器件的角度研究半導體材料的基本物理問題，主要內容包括半導體材料的基本物理參數及其與器件特性的關係：根據器件對材料基本屬性的要求建立評價材料適用程度的品質因子，并由此討論器件的材料優化問題；從充分發揮材料潛力、改善器件工作特性的角度介紹與雜質工程和能帶工程有關的一些重要問題以及在器件製造過程中常用的一些材料特性檢測方法與技術。
本書可作為大學電子類專業研究生的半導體材料物理學課程的教材和其他相關課程的輔助教材，也可供在半導體器件與微電子學領域、材料科學與工程領域以及應用物理等領域從事實際工作的工程技術人員和研究人員參考。
本書可作為大學電子類專業研究生的半導體材料物理學課程的教材和其他相關課程的輔助教材，也可供在半導體器件與微電子學領域、材料科學與工程領域以及應用物理等領域從事實際工作的工程技術人員和研究人員參考。
目次
前言
第一章 半導體材料概論
1.1 半導體技術發展概況
1.2 半導體材料綜述
1.3 半導體材料制備概述
參考文獻
第二章 半導體材料的基本特性參數
2.1 遷移率
2.2 載流子密度和電阻率
2.3 少數載流子壽命
參考文獻
第三章 半導體材料的器件適性
3.1 雙極器件的材料品質因子
3.2 單極器件的材料品質因子
3.3 熱品質因子
3.4 功率器件的優選材料
參考文獻
第四章 雜質工程和能帶工程
4.1 摻雜與摻雜均勻性
4.2 嬗變摻雜
4.3 外加磁場下的單晶生長技術
4.4 音導體固溶體
4.5 量子阱效應與半導體超晶格
參考文獻
第五章 半導體材料測試與分析
5.1 電阻率與雜質濃度測試
5.2 少數載流子壽命測試
5.3 深能級測試
5.4 光學常數測試
5.5 光電特性分析
5.6 組份分析
5.7 結構分析
參考文獻
附錄 碳化硅材料與器件研發新進展
參考文獻
第一章 半導體材料概論
1.1 半導體技術發展概況
1.2 半導體材料綜述
1.3 半導體材料制備概述
參考文獻
第二章 半導體材料的基本特性參數
2.1 遷移率
2.2 載流子密度和電阻率
2.3 少數載流子壽命
參考文獻
第三章 半導體材料的器件適性
3.1 雙極器件的材料品質因子
3.2 單極器件的材料品質因子
3.3 熱品質因子
3.4 功率器件的優選材料
參考文獻
第四章 雜質工程和能帶工程
4.1 摻雜與摻雜均勻性
4.2 嬗變摻雜
4.3 外加磁場下的單晶生長技術
4.4 音導體固溶體
4.5 量子阱效應與半導體超晶格
參考文獻
第五章 半導體材料測試與分析
5.1 電阻率與雜質濃度測試
5.2 少數載流子壽命測試
5.3 深能級測試
5.4 光學常數測試
5.5 光電特性分析
5.6 組份分析
5.7 結構分析
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