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集成功率器件設計及TCAD仿真（簡體書）
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商品簡介
目次
商品簡介
本書從電力電子到功率集成電路（PIC）、智能功率技術、器件等方面給電源管理和半導體產業提供了一個完整的描述。本書不僅介紹了集成功率半導體器件，如橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管（LDMOSFET）、橫向絕緣柵雙極型晶體管（LIGBT）和超結LDMOSFET的內部物理現象，還對電源管理系統進行了一個簡單的介紹。本書運用計算機輔助設計技術（TCAD）仿真實例講解集成功率半導體器件的設計，代替抽象的理論處理和令人生畏的方程，並且還探討了下一代功率器件，如氮化鎵高電子遷移率功率晶體管（GaN功率HEMT）。本書內容有助於填補功率器件工程和電源管理系統之間的空白。書中包括智能PIC的一個典型的工藝流程以及很難在其他同類書中找到的技術開發組織圖，通過對本書的閱讀，可以使學生和年輕的工程師在功率半導體器件領域領先一步。
目次
譯者序
原書前言
作者簡介
第１章 電力電子，可以實現綠色的技術１
１.１ 電力電子介紹１
１.２ 電力電子的發展歷程３
１.３ ＤＣ／ＤＣ變換器４
１.４ 線性穩壓器４
１.５ 開關電容ＤＣ／ＤＣ變換器（電荷泵） ５
１.６ 開關模式ＤＣ／ＤＣ變換器６
１.７ 線性穩壓器、電荷泵和開關調節器的比較８
１.８ 非隔離ＤＣ／ＤＣ開關變換器的拓撲結構８
１.８.１ Ｂｕｃｋ變換器９
１.８.２ Ｂｏｏｓｔ變換器１１
１.８.３ Ｂｕｃｋ－ｂｏｏｓｔ變換器１２
１.８.４ Ｃｕｋ變換器１４
１.８.５ 非隔離式變換器額外的話題１４
１.９ 隔離的開關變換器拓撲結構１６
１.９.１ 反激式變換器１６
１.９.２ 正激式變換器１７
１.９.３ 全橋變換器１８
１.９.４ 半橋變換器１９
１.９.５ 推挽變換器２０
１.９.６ 隔離ＤＣ／ＤＣ變換器其他話題２０
１.９.７ 隔離ＤＣ／ＤＣ變換器拓撲結構的比較２２
１.１０ ＳＰＩＣＥ電路仿真２２
１.１１ 對於電池供電器件的電源管理系統２３
１.１２ 小結２４
第２章 功率變換器和電源管理芯片２５
２.１ 用於ＶＬＳＩ電源管理的動態電壓調節２５
２.２ 集成的ＤＣ／ＤＣ變換器２７
２.２.１ 分段的輸出級２９
２.２.２ 一個輔助級的瞬態抑制３２
２.３ 小結３６
第３章 半導體產業和超摩爾定律３７
３.１ 半導體產業３７
３.２ 半導體產業的歷史３８
３.２.１ 一個簡要的時間表３８
３.２.２ 八叛逆３８
３.２.３ 半導體產業的歷史路線圖３９
３.３ 半導體產業的食物鏈金字塔４０
３.３.１ 第１層：晶圓和ＥＤＡ工具４１
３.３.２ 第２層：器件工程４２
３.３.３ 第３層：ＩＣ設計４２
３.３.４ 第４層：製造、封裝和測試４３
３.３.５ 第５層：系統和軟件４３
３.３.６ 第６層：市場營銷４４
３.４ 半導體公司４５
３.５ 超摩爾定律４６
第４章 智能功率ＩＣ技術４９
４.１ 智能功率ＩＣ技術基礎４９
４.２ 智能功率ＩＣ技術：歷史展望５０
４.３ 智能功率ＩＣ技術：產業展望５２
４.３.１ 智能功率ＩＣ技術的工程組５２
４.３.２ 智能功率ＩＣ技術開發流程５５
４.３.３ 計劃階段５６
４.３.４ 工藝集成和器件設計５７
４.３.５ 布圖、投片、製造和測試５８
４.３.６ 可靠性和標準５９
４.３.７ 目前智能功率技術的概述６０
４.４ 智能功率ＩＣ技術：技術展望６１
４.４.１ 智能功率技術中的器件６２
４.４.２ 智能功率ＩＣ技術的設計考慮６２
４.４.３ 隔離方法６５
第５章 ＴＣＡＤ工藝仿真介紹６７
５.１ 概述６７
５.２ 網格設置和初始化６７
５.３ 離子注入６９
５.３.１分析模型７０
５.３.２ 多層注入７１
目 錄Ⅸ
５.３.３ ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模擬７１
５.４ 澱積７２
５.５ 氧化７３
５.５.１ 幹氧氧化７３
５.５.２ 濕氧氧化７４
５.５.３ 氧化模型７４
５.６ 刻蝕７６
５.７ 擴散７７
５.７.１ 擴散機制７８
５.７.２ 擴散模型７９
５.８ 分凝８０
５.９ 工藝模擬器模型的校準８３
５.１０ ３Ｄ ＴＣＡＤ工藝仿真介紹８４
５.１１ ＧＰＵ仿真８５
第６章 ＴＣＡＤ器件仿真介紹８７
６.１ 概述８７
６.２ 器件仿真基礎８７
６.２.１ 漂移－擴散模型８７
６.２.２ 離散化８８
６.２.３ Ｎｅｗｔｏｎ方法８９
６.２.４ 初始猜測和自適應偏置步長８９
６.２.５ 收斂問題９０
６.２.６ 邊界條件９１
６.２.７ 瞬態仿真９３
６.２.８ 網格問題９３
６.３ 物理模型９３
６.３.１ 載流子統計９４
６.３.２ 雜質的不完全電離９４
６.３.３ 重摻雜效應９４
６.３.４ ＳＲＨ和Ａｕｇｅｒ複合９４
６.３.５ 雪崩擊穿和碰撞電離９５
６.３.６ 載流子遷移率１０１
６.３.７ 熱和自加熱１０６
６.３.８ 帶隙變窄效應１０７
６.４ ＡＣ分析１０７
６.４.１ 引言１０７
６.４.２ 基本的公式１０８
６.４.３ 在ＴＣＡＤ中的ＡＣ分析１１０
Ⅹ 集成功率器件設計及ＴＣＡＤ仿真
６.５ 在ＴＣＡＤ仿真中的陷阱模型１１１
６.５.１ 陷阱電荷的狀態１１１
６.５.２ 陷阱動力學１１２
６.６ 量子隧穿１１５
６.６.１ 功率器件中量子隧穿的重要性１１５
６.６.２ ＴＣＡＤ仿真的基本隧穿理論１１６
６.６.３ 隧穿的非平衡Ｇｒｅｅｎ函數的介紹１１８
６.７ 器件仿真器模型的校準１１９
第７章 功率ＩＣ工藝流程的ＴＣＡＤ仿真１２０
７.１ 概述１２０
７.２ 一個模擬的功率ＩＣ工藝流程１２０
７.２.１ 工藝流程步驟１２０
７.２.２ 模擬的工藝流程的結構視圖１２１
７.３ 智能功率ＩＣ工藝流程模擬１２２
７.３.１ Ｐ＋襯底１２２
７.３.２ Ｎ型掩埋層１２３
７.３.３ 外延層生長和深Ｎ連接１２５
７.３.４ 高壓雙阱１２７
７.３.５ Ｎ－ＬＤＭＯＳ的Ｐ型體注入１２８
７.３.６ 有源區面積／淺溝槽隔離（ＳＴＩ） １２９
７.３.７ Ｎ阱和Ｐ阱１３４
７.３.８ 低壓雙阱１３５
７.３.９ 厚柵氧層和薄柵氧層１３６
７.３.１０ 多晶柵１３９
７.３.１１ ＮＬＤＤ和ＰＬＤＤ １３９
７.３.１２ 側牆１４１
７.３.１３ ＮＳＤ和ＰＳＤ １４２
７.３.１４ 後端工序１４４
第８章 集成功率半導體器件的ＴＣＡＤ仿真１５０
８.１ ＰＮ結二極管１５０
８.１.１ ＰＮ結基礎１５０
８.１.２ 在平衡時的橫向ＰＮ結二極管１５１
８.１.３ 正嚮導通（導通態） １５３
８.１.４ 一個ＰＮ結二極管的反向偏置１５６
８.１.５ 具有ＮＢＬ的橫向ＰＮ結二極管１５６
８.１.６ ＰＮ結二極管的擊穿電壓增強１５８
８.１.７ 反向恢復１６６
８.１.８ Ｓｃｈｏｔｔｋｙ二極管１６９
目 錄Ⅺ
８.１.９ Ｚｅｎｅｒ二極管１７０
８.１.１０ ＰＮ結二極管的小信號模型１７３
８.２ 雙極結型晶體管１７４
８.２.１ ＮＰＮ型ＢＪＴ的基本工作原理１７５
８.２.２ ＮＰＮ型ＢＪＴ的擊穿１７８
８.２.３ ＢＪＴ的Ｉ－Ｖ曲線族１８２
８.２.４ Ｋｉｒｋ效應１８２
８.２.５ ＢＪＴ熱失控和二次擊穿的仿真１８６
８.２.６ ＢＪＴ的小信號模型和截止頻率的仿真１８８
８.３ ＬＤＭＯＳ １９１
８.３.１ 擊穿電壓的提高１９１
８.３.２ ＬＤＭＯＳ中的寄生ＮＰＮＢＪＴ ２２０
８.３.３ ＬＤＭＯＳ的導通電阻２２２
８.３.４ ＬＤＭＯＳ的閾值電壓２２６
８.３.５ ＬＤＭＯＳ的輻照加固設計２２７
８.３.６ ＬＤＭＯＳ的Ｉ－Ｖ曲線族２２８
８.３.７ ＬＤＭＯＳ的自加熱２３０
８.３.８ ＬＤＭＯＳ的寄生電容２３１
８.３.９ ＬＤＭＯＳ的柵電荷２３４
８.３.１０ ＬＤＭＯＳ非鉗位感應開關（ＵＩＳ） ２３５
８.３.１１ ＬＤＭＯＳ的簡潔模型２３６
第９章 集成的功率半導體器件的３ＤＴＣＡＤ模擬２３８
９.１ ３Ｄ器件的佈局效應２３８
９.２ ＬＩＧＢＴ的３Ｄ仿真２４１
９.２.１ 關於ＬＩＧＢＴ ２４１
９.２.２ 分段陽極ＬＩＧＢＴ ２４１
９.２.３ 分段陽極ＬＩＧＢＴ３Ｄ工藝仿真２４４
９.２.４ 分段陽極ＬＩＧＢＴ的３Ｄ器件仿真２４６
９.３ 超結ＬＤＭＯＳ ２５４
９.３.１ 基本概念２５４
９.３.２ 超結ＬＤＭＯＳ的結構２６１
９.３.３ 超結ＬＤＭＯＳ的３Ｄ仿真２６１
９.３.４ 超結ＬＤＭＯＳ的３Ｄ器件仿真２６４
９.３.５ 一個具有相同的Ｎ漂移區摻雜的標準ＬＤＭＯＳ的３Ｄ仿真２６５
９.３.６ 一個Ｎ漂移區摻雜降低的標準ＬＤＭＯＳ的３Ｄ仿真２６５
９.３.７ 超結ＬＤＭＯＳ和標準ＬＤＭＯＳ的比較２６６
９.４ 超結功率ＦｉｎＦＥＴ ２６７
９.４.１ 超結功率ＦｉｎＦＥＴ的工藝流程２６９
Ⅻ 集成功率器件設計及ＴＣＡＤ仿真
９.４.２ 超結功率ＦｉｎＦＥＴ的測量結果２７０
９.４.３ 超結功率ＦｉｎＦＥＴ的３Ｄ仿真２７１
９.５ 大的互連仿真２７３
９.５.１ 大的互連的３Ｄ工藝仿真２７５
９.５.２ 大的互連的３Ｄ器件仿真２７９
第１０章 ＧａＮ器件介紹２８１
１０.１ 化合物材料與矽２８１
１０.２ ＧａＮ器件的襯底材料２８２
１０.３ Ⅲ －氮族纖鋅礦結構的極化特性２８３
１０.３.１ 微觀偶極子與極化矢量２８３
１０.３.２ 晶體結構與極化２８４
１０.３.３ 零淨極化的理想ｃ０／ａ０比２８４
１０.４ ＡｌＧａＮ／ＧａＮ異質結２８７
１０.４.１ 具有固定鋁摩爾分數的能帶圖２８８
１０.４.２ 具有一個固定的ＡｌＧａＮ層厚度的能帶圖２８９
１０.４.３ 具有摻雜的ＡｌＧａＮ或ＧａＮ層的ＡｌＧａＮ／ＧａＮ結構２９１
１０.４.４ 具有金屬接觸的ＡｌＧａＮ／ＧａＮ結構２９２
１０.５ 在ＡｌＧａＮ／ＧａＮ結構中的陷阱２９３
１０.６ 一個簡單的ＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴ ２９４
１０.６.１ 器件結構２９４
１０.６.２ ＧａＮ ＨＥＭＴ的ＩＤ －ＶＧ曲線２９６
１０.６.３ 小結２９７
１０.７ ＧａＮ功率ＨＥＭＴ例子Ⅰ ２９８
１０.７.１ 器件結構２９８
１０.７.２ ＧａＮ材料的碰撞電離係數３００
１０.７.３ ＧａＮＨＥＭＴ器件的擊穿仿真３００
１０.８ ＧａＮ功率ＨＥＭＴ範例Ⅱ ３０１
１０.９ ＧａＮ ＨＥＭＴ器件的柵極漏電流的仿真３０２
１０.９.１ 器件結構３０２
１０.９.２ 模型和仿真設置３０３
１０.９.３ 柵極洩漏電流仿真３０５
１０.１０ 化合物半導體電力應用的市場前景３０６
附錄Ａ 載流子統計３０８
附錄Ｂ 載流子統計３０９
附錄Ｃ 陷阱動力學和ＡＣ分析３２０
原書前言
作者簡介
第１章 電力電子，可以實現綠色的技術１
１.１ 電力電子介紹１
１.２ 電力電子的發展歷程３
１.３ ＤＣ／ＤＣ變換器４
１.４ 線性穩壓器４
１.５ 開關電容ＤＣ／ＤＣ變換器（電荷泵） ５
１.６ 開關模式ＤＣ／ＤＣ變換器６
１.７ 線性穩壓器、電荷泵和開關調節器的比較８
１.８ 非隔離ＤＣ／ＤＣ開關變換器的拓撲結構８
１.８.１ Ｂｕｃｋ變換器９
１.８.２ Ｂｏｏｓｔ變換器１１
１.８.３ Ｂｕｃｋ－ｂｏｏｓｔ變換器１２
１.８.４ Ｃｕｋ變換器１４
１.８.５ 非隔離式變換器額外的話題１４
１.９ 隔離的開關變換器拓撲結構１６
１.９.１ 反激式變換器１６
１.９.２ 正激式變換器１７
１.９.３ 全橋變換器１８
１.９.４ 半橋變換器１９
１.９.５ 推挽變換器２０
１.９.６ 隔離ＤＣ／ＤＣ變換器其他話題２０
１.９.７ 隔離ＤＣ／ＤＣ變換器拓撲結構的比較２２
１.１０ ＳＰＩＣＥ電路仿真２２
１.１１ 對於電池供電器件的電源管理系統２３
１.１２ 小結２４
第２章 功率變換器和電源管理芯片２５
２.１ 用於ＶＬＳＩ電源管理的動態電壓調節２５
２.２ 集成的ＤＣ／ＤＣ變換器２７
２.２.１ 分段的輸出級２９
２.２.２ 一個輔助級的瞬態抑制３２
２.３ 小結３６
第３章 半導體產業和超摩爾定律３７
３.１ 半導體產業３７
３.２ 半導體產業的歷史３８
３.２.１ 一個簡要的時間表３８
３.２.２ 八叛逆３８
３.２.３ 半導體產業的歷史路線圖３９
３.３ 半導體產業的食物鏈金字塔４０
３.３.１ 第１層：晶圓和ＥＤＡ工具４１
３.３.２ 第２層：器件工程４２
３.３.３ 第３層：ＩＣ設計４２
３.３.４ 第４層：製造、封裝和測試４３
３.３.５ 第５層：系統和軟件４３
３.３.６ 第６層：市場營銷４４
３.４ 半導體公司４５
３.５ 超摩爾定律４６
第４章 智能功率ＩＣ技術４９
４.１ 智能功率ＩＣ技術基礎４９
４.２ 智能功率ＩＣ技術：歷史展望５０
４.３ 智能功率ＩＣ技術：產業展望５２
４.３.１ 智能功率ＩＣ技術的工程組５２
４.３.２ 智能功率ＩＣ技術開發流程５５
４.３.３ 計劃階段５６
４.３.４ 工藝集成和器件設計５７
４.３.５ 布圖、投片、製造和測試５８
４.３.６ 可靠性和標準５９
４.３.７ 目前智能功率技術的概述６０
４.４ 智能功率ＩＣ技術：技術展望６１
４.４.１ 智能功率技術中的器件６２
４.４.２ 智能功率ＩＣ技術的設計考慮６２
４.４.３ 隔離方法６５
第５章 ＴＣＡＤ工藝仿真介紹６７
５.１ 概述６７
５.２ 網格設置和初始化６７
５.３ 離子注入６９
５.３.１分析模型７０
５.３.２ 多層注入７１
目 錄Ⅸ
５.３.３ ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模擬７１
５.４ 澱積７２
５.５ 氧化７３
５.５.１ 幹氧氧化７３
５.５.２ 濕氧氧化７４
５.５.３ 氧化模型７４
５.６ 刻蝕７６
５.７ 擴散７７
５.７.１ 擴散機制７８
５.７.２ 擴散模型７９
５.８ 分凝８０
５.９ 工藝模擬器模型的校準８３
５.１０ ３Ｄ ＴＣＡＤ工藝仿真介紹８４
５.１１ ＧＰＵ仿真８５
第６章 ＴＣＡＤ器件仿真介紹８７
６.１ 概述８７
６.２ 器件仿真基礎８７
６.２.１ 漂移－擴散模型８７
６.２.２ 離散化８８
６.２.３ Ｎｅｗｔｏｎ方法８９
６.２.４ 初始猜測和自適應偏置步長８９
６.２.５ 收斂問題９０
６.２.６ 邊界條件９１
６.２.７ 瞬態仿真９３
６.２.８ 網格問題９３
６.３ 物理模型９３
６.３.１ 載流子統計９４
６.３.２ 雜質的不完全電離９４
６.３.３ 重摻雜效應９４
６.３.４ ＳＲＨ和Ａｕｇｅｒ複合９４
６.３.５ 雪崩擊穿和碰撞電離９５
６.３.６ 載流子遷移率１０１
６.３.７ 熱和自加熱１０６
６.３.８ 帶隙變窄效應１０７
６.４ ＡＣ分析１０７
６.４.１ 引言１０７
６.４.２ 基本的公式１０８
６.４.３ 在ＴＣＡＤ中的ＡＣ分析１１０
Ⅹ 集成功率器件設計及ＴＣＡＤ仿真
６.５ 在ＴＣＡＤ仿真中的陷阱模型１１１
６.５.１ 陷阱電荷的狀態１１１
６.５.２ 陷阱動力學１１２
６.６ 量子隧穿１１５
６.６.１ 功率器件中量子隧穿的重要性１１５
６.６.２ ＴＣＡＤ仿真的基本隧穿理論１１６
６.６.３ 隧穿的非平衡Ｇｒｅｅｎ函數的介紹１１８
６.７ 器件仿真器模型的校準１１９
第７章 功率ＩＣ工藝流程的ＴＣＡＤ仿真１２０
７.１ 概述１２０
７.２ 一個模擬的功率ＩＣ工藝流程１２０
７.２.１ 工藝流程步驟１２０
７.２.２ 模擬的工藝流程的結構視圖１２１
７.３ 智能功率ＩＣ工藝流程模擬１２２
７.３.１ Ｐ＋襯底１２２
７.３.２ Ｎ型掩埋層１２３
７.３.３ 外延層生長和深Ｎ連接１２５
７.３.４ 高壓雙阱１２７
７.３.５ Ｎ－ＬＤＭＯＳ的Ｐ型體注入１２８
７.３.６ 有源區面積／淺溝槽隔離（ＳＴＩ） １２９
７.３.７ Ｎ阱和Ｐ阱１３４
７.３.８ 低壓雙阱１３５
７.３.９ 厚柵氧層和薄柵氧層１３６
７.３.１０ 多晶柵１３９
７.３.１１ ＮＬＤＤ和ＰＬＤＤ １３９
７.３.１２ 側牆１４１
７.３.１３ ＮＳＤ和ＰＳＤ １４２
７.３.１４ 後端工序１４４
第８章 集成功率半導體器件的ＴＣＡＤ仿真１５０
８.１ ＰＮ結二極管１５０
８.１.１ ＰＮ結基礎１５０
８.１.２ 在平衡時的橫向ＰＮ結二極管１５１
８.１.３ 正嚮導通（導通態） １５３
８.１.４ 一個ＰＮ結二極管的反向偏置１５６
８.１.５ 具有ＮＢＬ的橫向ＰＮ結二極管１５６
８.１.６ ＰＮ結二極管的擊穿電壓增強１５８
８.１.７ 反向恢復１６６
８.１.８ Ｓｃｈｏｔｔｋｙ二極管１６９
目 錄Ⅺ
８.１.９ Ｚｅｎｅｒ二極管１７０
８.１.１０ ＰＮ結二極管的小信號模型１７３
８.２ 雙極結型晶體管１７４
８.２.１ ＮＰＮ型ＢＪＴ的基本工作原理１７５
８.２.２ ＮＰＮ型ＢＪＴ的擊穿１７８
８.２.３ ＢＪＴ的Ｉ－Ｖ曲線族１８２
８.２.４ Ｋｉｒｋ效應１８２
８.２.５ ＢＪＴ熱失控和二次擊穿的仿真１８６
８.２.６ ＢＪＴ的小信號模型和截止頻率的仿真１８８
８.３ ＬＤＭＯＳ １９１
８.３.１ 擊穿電壓的提高１９１
８.３.２ ＬＤＭＯＳ中的寄生ＮＰＮＢＪＴ ２２０
８.３.３ ＬＤＭＯＳ的導通電阻２２２
８.３.４ ＬＤＭＯＳ的閾值電壓２２６
８.３.５ ＬＤＭＯＳ的輻照加固設計２２７
８.３.６ ＬＤＭＯＳ的Ｉ－Ｖ曲線族２２８
８.３.７ ＬＤＭＯＳ的自加熱２３０
８.３.８ ＬＤＭＯＳ的寄生電容２３１
８.３.９ ＬＤＭＯＳ的柵電荷２３４
８.３.１０ ＬＤＭＯＳ非鉗位感應開關（ＵＩＳ） ２３５
８.３.１１ ＬＤＭＯＳ的簡潔模型２３６
第９章 集成的功率半導體器件的３ＤＴＣＡＤ模擬２３８
９.１ ３Ｄ器件的佈局效應２３８
９.２ ＬＩＧＢＴ的３Ｄ仿真２４１
９.２.１ 關於ＬＩＧＢＴ ２４１
９.２.２ 分段陽極ＬＩＧＢＴ ２４１
９.２.３ 分段陽極ＬＩＧＢＴ３Ｄ工藝仿真２４４
９.２.４ 分段陽極ＬＩＧＢＴ的３Ｄ器件仿真２４６
９.３ 超結ＬＤＭＯＳ ２５４
９.３.１ 基本概念２５４
９.３.２ 超結ＬＤＭＯＳ的結構２６１
９.３.３ 超結ＬＤＭＯＳ的３Ｄ仿真２６１
９.３.４ 超結ＬＤＭＯＳ的３Ｄ器件仿真２６４
９.３.５ 一個具有相同的Ｎ漂移區摻雜的標準ＬＤＭＯＳ的３Ｄ仿真２６５
９.３.６ 一個Ｎ漂移區摻雜降低的標準ＬＤＭＯＳ的３Ｄ仿真２６５
９.３.７ 超結ＬＤＭＯＳ和標準ＬＤＭＯＳ的比較２６６
９.４ 超結功率ＦｉｎＦＥＴ ２６７
９.４.１ 超結功率ＦｉｎＦＥＴ的工藝流程２６９
Ⅻ 集成功率器件設計及ＴＣＡＤ仿真
９.４.２ 超結功率ＦｉｎＦＥＴ的測量結果２７０
９.４.３ 超結功率ＦｉｎＦＥＴ的３Ｄ仿真２７１
９.５ 大的互連仿真２７３
９.５.１ 大的互連的３Ｄ工藝仿真２７５
９.５.２ 大的互連的３Ｄ器件仿真２７９
第１０章 ＧａＮ器件介紹２８１
１０.１ 化合物材料與矽２８１
１０.２ ＧａＮ器件的襯底材料２８２
１０.３ Ⅲ －氮族纖鋅礦結構的極化特性２８３
１０.３.１ 微觀偶極子與極化矢量２８３
１０.３.２ 晶體結構與極化２８４
１０.３.３ 零淨極化的理想ｃ０／ａ０比２８４
１０.４ ＡｌＧａＮ／ＧａＮ異質結２８７
１０.４.１ 具有固定鋁摩爾分數的能帶圖２８８
１０.４.２ 具有一個固定的ＡｌＧａＮ層厚度的能帶圖２８９
１０.４.３ 具有摻雜的ＡｌＧａＮ或ＧａＮ層的ＡｌＧａＮ／ＧａＮ結構２９１
１０.４.４ 具有金屬接觸的ＡｌＧａＮ／ＧａＮ結構２９２
１０.５ 在ＡｌＧａＮ／ＧａＮ結構中的陷阱２９３
１０.６ 一個簡單的ＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴ ２９４
１０.６.１ 器件結構２９４
１０.６.２ ＧａＮ ＨＥＭＴ的ＩＤ －ＶＧ曲線２９６
１０.６.３ 小結２９７
１０.７ ＧａＮ功率ＨＥＭＴ例子Ⅰ ２９８
１０.７.１ 器件結構２９８
１０.７.２ ＧａＮ材料的碰撞電離係數３００
１０.７.３ ＧａＮＨＥＭＴ器件的擊穿仿真３００
１０.８ ＧａＮ功率ＨＥＭＴ範例Ⅱ ３０１
１０.９ ＧａＮ ＨＥＭＴ器件的柵極漏電流的仿真３０２
１０.９.１ 器件結構３０２
１０.９.２ 模型和仿真設置３０３
１０.９.３ 柵極洩漏電流仿真３０５
１０.１０ 化合物半導體電力應用的市場前景３０６
附錄Ａ 載流子統計３０８
附錄Ｂ 載流子統計３０９
附錄Ｃ 陷阱動力學和ＡＣ分析３２０
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