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商品簡介
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本書採用數值仿真、解析建模和實驗製備的手段對集成電路亞10nm階段新型低功耗半導體器件-負電容場效應晶體管(NC-FETs)的工作原理和設計優化進行了研究和探索。在負電容場效應晶體管的解析模型及其特性優化、新型負電容場效應晶體管器件結構的提出、以及基於二維材料的負電容場效應晶體管的製備等方面,本書做出了一系列原創性的研究工作,可為從事新型半導體器件設計的技術人員提供參考。
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