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A ind stria da microeletr nica avan ou para o regime de nanoescala, que alcan ou baixa pot ncia e alta velocidade de comuta o em circuitos eletr nicos. De acordo com o Roadmap Internacional de Tecnologia para Semicondutores ITRS-2020, a tecnologia atual atingiu um tamanho de caracter stica de sub-10nm e se movendo em dire o a 5,6nm. A fim de sustentar a redu o de escala, n o s essencial desenvolver novas arquiteturas de dispositivos, mas tamb m pode ser necess rio substituir o sil cio. A Intel desenvolveu dispositivos baseados em transistor tri-gate a 14nm de comprimento de porta. As estruturas de trans stores Multi-Gate FETs e Nanowire s o encontradas adequadas abaixo do n de tecnologia de 14nm. No entanto, Nanowires Verticais desenvolvidos com materiais compostos III-V, materiais de xido de porta de altaκ e port es met licos de melhor desempenho s o explorados.
