Etude des propriétés électroniques des alliages de type Zr(x)Si(1-x)O2

Ici, nous pr廥entons nos r廥ultats num廨iques de solutions solides ZrxSi1-xO2 (avec x= 0-1) afin de pr嶮ire de nouveaux compos廥 hypoth彋iques t彋ragonaux de la famille Zircon. Nous avons utilis?la m彋hode des ondes planes augment嶪s lin嶧ris嶪s ?plein potentiel (FP-LAPW) bas嶪 sur la th廩rie fonctionnelle de la densit?DFT dans l'approximation GGA telle qu'impl幦ent嶪 dans le code WIEN2k pour 彋udier les propri彋廥 structurelles et opto幨ectroniques des compos廥 nomm廥. Nous avons 彋udi? dans un premier temps, les propri彋廥 du compos?ZrSiO4, o?les r廥ultats obtenus sont compar廥 ?plusieurs investigations th廩riques et exp廨imentales. Deuxi鋗ement, nous avons pr嶮it de nouveaux compos廥 hypoth彋iques pour la famille ZrSi3O8 et Zr3SiO8 qui cristallisent dans le groupe d'espace I41/amd. Quoi qu'il en soit, la stabilit?chimique des alliages 彋udi廥 a 彋?v廨ifi嶪 ?la fois avec l'enthalpie de formation et l'幯ergie de coh廥ion. De plus, les r廥ultats de dispersion des phonons ont 嶲alement indiqu?cet aspect. Les propri彋廥 幨ectroniques r憝鋩ent une forte hybridation covalente p-d entre Zr et O. Le compos?Zr3SiO8 pr廥ente une large bande interdite indirecte.