Studio delle proprietà elettroniche di leghe Zr(x)Si(1-x)O2

Qui presentiamo i risultati numerici delle soluzioni solide di ZrxSi1-xO2 (con x= 0-1) per prevedere nuovi ipotetici composti tetragonali della famiglia dello zircone. Per studiare le propriet?strutturali e optoelettroniche dei composti citati, abbiamo utilizzato il metodo FP-LAPW (full potential linearised augmented plane wave) basato sulla teoria funzionale della densit?DFT in approssimazione GGA, implementato nel codice WIEN2k. In primo luogo, abbiamo studiato le propriet?del composto ZrSiO4, dove i risultati ottenuti sono stati confrontati con diverse indagini teoriche e sperimentali. In secondo luogo, abbiamo previsto nuovi ipotetici composti per la famiglia ZrSi3O8 e Zr3SiO8 che cristallizzano nel gruppo spaziale I41/amd. In ogni caso, la stabilit?chimica delle leghe studiate ?stata verificata sia con l'entalpia di formazione che con l'energia coesiva. Inoltre, anche i risultati della dispersione fonica hanno indicato questo aspetto. Le propriet?elettroniche rivelano una forte ibridazione covalente p-d tra Zr e O. Il composto Zr3SiO8 presenta un ampio band gap indiretto.