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集成電路工藝實驗基礎（簡體書）
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全書分3章， 共26個實驗，第1章為基礎工藝，包含真空技術、矽片的清洗及氧化、光刻工藝流程實驗教學、氧等離子體刻蝕、 等離子體增強化學氣相沉積、磁控濺射法製備金屬薄膜、原子層沉積法製備納米薄膜的實驗原理及工藝流程；第2章為檢測測量技術，包含MOSFET 器件特性的測量與分析、橢圓偏振儀測薄膜厚度、紫外可見分光光度計測量亞甲基藍溶液濃度、傅立葉變換紅外光譜法 (FTIR) 測定矽中雜質氧的含量、等離子體朗繆爾探針診斷技術、等離子體發射光譜診斷技術、質譜法測定氧氣放電組成成份及能量實驗、半導體二極管的伏安特性及溫度特性、ICCD 器件的特性研究及應用、四探針法測量相變材料的變溫電阻曲線、薄膜厚度和形貌測量；第3章為工藝基礎及應用，包含表面波等離子體放電實驗、脈衝放電等離子體特性實驗、低氣壓容性耦合等離子體特性實驗、低氣壓感性耦合等離子體 (ICP) 特性實驗、等離子體晶格、等離子體功能材料製備與光學性能檢測、低溫等離子體染料廢水處理實驗、低溫等離子體產生 O3 及其應用的實驗探索。本書的目標和任務是使學生熟練掌握半導體材料和器件的製備、 基本物理參數以及物理性質的測試原理和表徵方法, 為半導體材料與器件的開發、 設計與研製打下堅定基礎。
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