Rôle du recuit sur l'ingénierie d'interface dans les dispositifs Ge MOS

Les di幨ectriques ?haute permittivit?et les substrats appropri廥 font l'objet d'彋udes intensives en vue de leur utilisation dans la conception VLSI. Cependant, l'oxyde d'hafnium (HfO2) est un candidat prometteur pour la prochaine g幯廨ation de di幨ectriques de grille en raison de sa constante di幨ectrique 25 relativement 幨ev嶪, de sa large bande interdite, de sa bonne stabilit?thermique et de son 幯ergie libre de r嶧ction relativement 幨ev嶪 avec le mat廨iau du substrat. R嶰emment, les dispositifs 幨ectroniques ?base de Ge ont fait l'objet d'une attention consid廨able et le Ge peut apporter des solutions aux probl鋗es majeurs auxquels la technologie Si est confront嶪 pour les dispositifs CMOS avanc廥; ceci est principalement d??la plus grande mobilit?des trous et des 幨ectrons dans le substrat Ge. Ce livre est donc utile aux lecteurs pour conna褾re certaines questions importantes sur la technologie Ge pour les dispositifs ?haute fr廦uence.