Couches minces de sulfure d'étain SnS pour les applications photovoltaïques

Cette 彋ude rapporte la croissance de films minces de sulfure d'彋ain en utilisant une technique de d廧矌 par bain chimique ?faible co. Il est donc n嶰essaire de contr犨er le d憝eloppement des couches minces. Diverses analyses ont 彋?effectu嶪s, telles que: XRD, SEM, EDS, AFM, spectrophotom彋rie et TSC. Toutes ces analyses nous ont permis d'am幨iorer les propri彋廥 physiques des films minces de SnS pour les cellules solaires. Dans ce contexte, nous avons 幨abor?des films minces de sulfure d'彋ain utilis廥 comme mat廨iau absorbant dans les dispositifs photovolta鮤ues. Pour cela, diff廨ents dopages tels que le fer, l'argent et le gallium ainsi qu'un recuit en atmosph鋨e contr犨嶪 ont 彋?r嶧lis廥 afin d'augmenter la conductivit?de ces films minces. Le dopage a 彋?effectu?pendant le processus de croissance en ajoutant une concentration relative de solutions aqueuses contenant des ions Fe2+, Ag2+ et Ga2+. Les propri彋廥 physiques ont 彋?彋udi嶪s par XRD, AFM, SEM et TSC. Il a 彋?constat?ult廨ieurement que les films minces SnS dop廥 n'entra螽ent pas de diminution de la r廥istivit? Ainsi, d'autres caract廨isations physiques sont en cours afin d'optimiser les propri彋廥 des films minces et en particulier la r廥istivit?au moyen d'un traitement thermique appropri?sous atmosph鋨e contr犨嶪.