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氮化鎵與碳化矽功率器件：基礎原理及應用全解（簡體書）
商品資訊
ISBN13：9787122477545
出版社：化學工業出版社
作者：(義)毛里齊奧‧迪保羅‧埃米利奧
譯者：鄧二平;吳立信;丁立
出版日：2025/07/01
裝訂／頁數：平裝／195頁
規格：24cm*17cm (高/寬)
版次：一版
商品簡介
商品簡介
本書是關於寬禁帶(WBG)半導體器件及其設計、應用等主題的綜合性參考書籍，能夠滿足讀者對基礎及前沿知識的需求。本書內容以實用性為出發點，闡釋了氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC)半導體的原理、製造工藝、特性表徵、市場現狀以及針對關鍵應用的設計方法。針對GaN器件，從材料特性、芯片設計、製造工藝和外特性各方面深入分析，重點介紹了仿真手段和各種典型應用，最後還介紹了目前主流的技術和GaN公司。針對SiC器件，主要介紹了芯片工藝、芯片技術、可靠性等，並對核心應用，如新能源汽車、儲能等方面進行了介紹。本書既適合電力電子、微電子、功率器件設計與製造等領域的研究及技術人員閱讀，也可作為高等院校相關專業本科生和研究生的教學參考書。此外，也適合對半導體、電力電子等技術感興趣的管理者、投資者閱讀，以拓寬視野。
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