Untersuchung der Oberflächenschicht von Silizium mit Indiumbeschichtung

Die Arbeit bezieht sich auf den Bereich der Nanotechnologie, der sich in den letzten Jahrzehnten rasant entwickelt hat. Viele Aspekte sind noch unklar und erfordern weitere Untersuchungen. Die vorliegende Arbeit enth鄟t eine Analyse der Gesetzm?igkeiten der Bildung von Rekonstruktionselementen und Clusterstrukturen auf den Oberfl踄hen Si(111) und Si(557). Es wurden die Besonderheiten der Entstehung einer 7x7-Rekonstruktion auf der vicinalen Oberfl踄he Si(557) untersucht. Es wurde festgestellt, dass die Bildung von Clustern auf der Oberfl踄he von Si(557) im Gegensatz zur Oberfl踄he von Si(111) nicht sofort mit Beginn der Abscheidung beginnt. Die Verz鐷erung betr輍t bis zu 20 % der Gesamtzeit der Monoschichtabscheidung. W鄣rend dieser Verz鐷erung lagern sich Indiumatome auf den Stufen ab und bilden Bereiche mit unstrukturierter Indiumbedeckung. Es wurde versucht, die Ursache f die Bildung solch komplexer Rekonstruktionen wie 7x7 oder 5x5 zu erkl酺en. Es wurde eine Version zur Erstellung der STMS-Methode formuliert - das gleichzeitige Scannen des Oberfl踄henreliefs und die Erfassung spektroskopischer Abh鄚gigkeiten.