Étude de la couche superficielle du silicium avec dépôt d'indium

Ce travail concerne le domaine des nanotechnologies, qui conna褾 un essor fulgurant depuis quelques d嶰ennies. De nombreux aspects restent encore flous et n嶰essitent des 彋udes suppl幦entaires. Le travail propos?contient une analyse des lois r嶲issant la formation d'幨幦ents de reconstruction et de structures en clusters sur les surfaces Si(111) et Si(557). Les particularit廥 de l'apparition d'une reconstruction 7x7 sur la surface vicinale Si(557) ont 彋?彋udi嶪s. Il a 彋?彋abli que, contrairement ?la surface Si(111), la formation de clusters ?la surface Si(557) ne commence pas imm嶮iatement apr鋊 le d嶵ut de la pulv廨isation. Le retard repr廥ente jusqu'?20 % du temps total de pulv廨isation de la monocouche. Pendant ce retard, les atomes d'indium se d廧osent sur les marches, formant des zones de rev皻ement non structur?en indium. Une tentative a 彋?faite pour expliquer la raison de la formation de reconstructions aussi complexes que 7x7 ou 5x5. Une version de la cr嶧tion de la m彋hode STMS - balayage simultan?du relief de la surface et enregistrement des d廧endances spectroscopiques - a 彋?formul嶪.