Studio dello strato superficiale del silicio con deposizione di indio

Il lavoro riguarda il campo delle nanotecnologie, in forte espansione negli ultimi decenni. Molti aspetti rimangono ancora poco chiari e richiedono ulteriori approfondimenti. Il lavoro proposto contiene un'analisi delle leggi che regolano la formazione di elementi di ricostruzione e strutture a cluster sulle superfici Si(111) e Si(557). Sono state studiate le caratteristiche della formazione della ricostruzione 7x7 sulla superficie vicinale Si(557). ?stato stabilito che, a differenza della superficie Si(111), la formazione dei cluster sulla superficie Si(557) non inizia immediatamente con l'inizio della polverizzazione. Il ritardo ?pari al 20% del tempo totale di polverizzazione del monostrato. Durante questo ritardo, gli atomi di indio si depositano sui gradini, formando zone di rivestimento non strutturato di indio. ?stato fatto un tentativo di spiegare la causa della formazione di ricostruzioni cos?complesse come 7x7 o 5x5. ?stata formulata una versione della creazione della metodica STMS - scansione simultanea del rilievo della superficie e rilevamento delle dipendenze spettroscopiche.