Lumineszenzeigenschaften von Silizium und Zinnoxid

Dieses Buch gibt einen 鈁erblick er Untersuchungen zu den physikalischen, chemischen und lumineszenten Eigenschaften von reinen und mit Seltenen Erden dotierten Oxydphosphoren der Gruppe IV A. Die in der vorliegenden Arbeit betrachteten Oxide sind SiO2 und SnO2. SiO2 ist seit langem als geeigneter Tr輍er f Seltene Erden bekannt und wird h酳fig f die Herstellung von Festk顤perlasern verwendet, w鄣rend SnO2 ein n-Halbleiter mit einer gro en Bandlke von 2,5-3 eV ist, der in der Rutilstruktur (tetragonale Struktur) kristallisiert. SnO2 geh顤t zu einer speziellen Klasse von Halbleitern, die direkte Bandlken aufweisen, aber aufgrund ihrer besonderen Wellenfunktionssymmetrie dipolverboten sind. In der vorliegenden Arbeit wurden Phosphore aus Oxiden der Gruppe IV A (SiO2 und SnO2) nach dem Sol-Gel-Verfahren hergestellt, aber reine Nanophosphore der Gruppe IV A haben eine schwache Lumineszenzintensit酹. Durch Dotierung mit Seltenerdelementen l酲st sich diese um ein Vielfaches steigern, weshalb eine Dotierung mit Hilfe von Seltenerdelementen (Ce3+, Eu3+ und Dy3+) durchgefrt wurde. Diese werden gleichzeitig durch Sol-Gel-Verfahren in Siliziumdioxid- und Zinnmatrizen eingebracht und anschlie end mit allgemeinen und lumineszenzspezifischen Charakterisierungstechniken untersucht.