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Propriedades luminescentes do silício e do óxido estanoso

Propriedades luminescentes do silício e do óxido estanoso

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Este livro apresenta uma vis緌 geral dos estudos sobre as propriedades f疄icas, qu璥icas e luminescentes de f鏀foros de 闛ido do grupo IV A puros e dopados com terras raras. Os 闛idos considerados no presente trabalho s緌 SiO2 e SnO2. O SiO2 ?conhecido h?muito tempo como um hospedeiro conveniente para terras raras e tem sido amplamente utilizado na fabrica誽o de lasers de estado s鏊ido, enquanto o SnO2 ?um semicondutor do tipo n com banda proibida larga de 2,5-3eV, que cristaliza na estrutura rutilo (estrutura tetragonal). O SnO2 ?membro de uma classe especial de semicondutores que t瘱 intervalos de banda diretos, mas s緌 proibidos por dipolo devido ?sua simetria especial da fun誽o de onda. No presente trabalho, os f鏀foros de 闛ido do grupo IV A (SiO2 e SnO2) foram preparados pelo m彋odo sol-gel, mas a forma pura dos nanof鏀foros do grupo IV A tem uma intensidade de luminesc瘽cia fraca. A intensidade aumenta muitas vezes ao dop?los com elementos de terras raras, portanto, o doping foi realizado com a ajuda de elementos de terras raras (Ce3+, Eu3+ e Dy3+). Eles s緌 incorporados simultaneamente em matrizes de s璱ica e estanho por processos sol-gel e s緌 ainda caracterizados por t嶰nicas de caracteriza誽o geral e de luminesc瘽cia.

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