Optimisation des paramètres électriques (CNTFET)

Dans le secteur de l'幨ectronique, la demande d'am幨ioration technologique n'a cess?d'augmenter. Jusqu'?pr廥ent, le silicium 彋ait le mat廨iau le plus populaire pour r廧ondre ?la demande actuelle. Cependant, le silicium a ses propres limites; Les circuits int嶲r廥 ?base de silicium et la mise ?l'嶰helle de la conception des MOSFET au silicium sont confront廥 ?des probl鋗es tels que l'effet tunnel, l'impact sur l'廧aisseur de l'oxyde de grille, etc., ce qui a incit?le d憝eloppement de mat廨iaux alternatifs. L'int廨皻 acad幦ique croissant pour les nanotubes de carbone (NTC) en tant que nouveau type possible de mat廨iau 幨ectronique a entra螽?des progr鋊 substantiels dans la physique des NTC, y compris les propri彋廥 de transport d'幨ectrons balistiques et non balistiques. Le transport ?faible polarisation dans un nanotube peut 皻re presque balistique sur des distances de plusieurs centaines de nanom鋈res. Des mod鋩es 彋endus au niveau du circuit, capables de capturer les ph幯om鋝es de transport d'幨ectrons balistiques et non balistiques, notamment les effets 幨astiques, de diffusion de phonons, de d嶨ormation et de tunneling, ont 彋?cr澭s pour les transistors CNT non balistiques. L'effet de l'廧aisseur de l'oxyde de grille sur les performances des CNTFET non balistiques a 彋?彋udi?dans notre section de r廥ultats.