Otimização dos parâmetros eléctricos (CNTFET)

No setor da eletr鏮ica, a procura por melhorias tecnol鏬icas tem vindo a aumentar constantemente. At?agora, o sil獳io tem sido o material mais popular para atender 跴 demandas atuais. Contudo, o sil獳io tem o seu pr鏕rio conjunto de limites; circuitos integrados baseados em sil獳io e o dimensionamento do projeto MOSFET de sil獳io enfrentam quest髊s como efeito de tunelamento, impacto na espessura do 闛ido de porta e assim por diante, o que levou ao desenvolvimento de materiais alternativos. O crescente interesse acad瘱ico em nanotubos de carbono (CNTs) como um poss癉el novo tipo de material eletr獼ico resultou em avan蔞s substanciais na f疄ica dos CNT, incluindo propriedades bal疄ticas e n緌 bal疄ticas de transporte de el彋rons. O transporte de baixa polariza誽o em um nanotubo pode ser quase bal疄tico em dist滱cias de v嫫ias centenas de nan獽etros. Modelos estendidos de n癉el de circuito que podem capturar fen獽enos de transporte de el彋rons bal疄ticos e n緌 bal疄ticos, incluindo efeitos el嫳ticos, de espalhamento de f獼ons, deforma誽o e de tunelamento, foram criados para transistores CNT n緌 bal疄ticos. O efeito da espessura do 闛ido da porta no desempenho de CNTFETs n緌 bal疄ticos foi investigado em nossa se誽o de resultados.