超結是功率半導體器件領域的創新的耐壓層結構之一，它將常規阻型耐壓層質變為PN 結型耐壓層，突破了傳統比導通電阻和耐壓之間的“矽極限”關係(Ron,sp∝VB^2.5)，將 2.5次方關係降低為 1.32次方，甚至是 1.03 次方關係，被譽為功率半導體器件發展的“里程碑”。 本書概述了功率半導體器件的基本信息，重點介紹了作者在功率超結器件研究中獲得的理論、技術與實驗結果，包括電荷場調製概念、超結器件耐壓原理與電場分佈、縱向超結器件非全耗盡模式與準線性關係(Ron,sp∝VB^1.03)、橫向超結器件等效襯底模型、全域優化法、最 低比導通電阻理論等。在此基礎上，本書又提出了勻場耐壓層新概念，即以金屬-絕緣體-金屬元胞替代 PN 結元胞，並對這種勻場耐壓層的新應用進行了探索。本書可供半導體器件相關專業的科研工作者參考
