商品簡介
數字集成電路功能和性能指數性的增加，徹底改變了我們的生活和工作。MOS晶體管尺寸的不斷減小，擴大了電路技術的使用範圍，而在技術實現一些年後有關這方面的書籍仍然缺乏。
《數字集成電路分析與設計（第2版）》從現代跨學科的觀點出發，重點介紹基本原理，可供將來要從事集成電路設計的工程師使用。它給從事超大規模集成電路設計與製造的工程師提供一個修訂的教學參考書，《高新科技譯叢：數字集成電路分析與設計（第2版）》關注該領域最新的進展，包括器件尺寸不斷減小的情況下工作原理新的應用。
《高新科技譯叢：數字集成電路分析與設計（第2版）》的初衷是在目前有關晶體管電子學和VLSI設計與製造作為一個獨立主題的眾多領域的教材間起到橋樑作用。像第1版一樣，《高新科技譯叢：數字集成電路分析與設計（第2版）》對集成電路工程師和該領域研究人員至關重要，為他們從事更先進的工作提供所需要的跨學科的引導。
出於教學的目的，作者採用SPICElevel1計算機模擬模型，但還引入了廣泛用於VLSI設計的BSIM模型。使得使用者在手算分析和SPICE模擬之間形成一個對器件和電路設計更直觀的聯繫。
在新增加的4章中，增加了超過200個新的插圖，以及大量的實例分析，並提供了一個網址。這本教材大大擴展了第一版中出現的概念。
目次
第1章 引言
1.1 歷史展望與摩爾定律
1.2 數字集成電路的電學性能
1.2.1 邏輯功能
1.2.2 靜態電壓傳輸特性
1.2.3 瞬態特性
1.2.4 扇入和扇出
1.2.5 功耗
1.2.6 功率延遲積
1.3 計算機輔助設計與驗證
1.4 製造
1.5 半導體和結
1.6 MOS晶體管
1.7 MOS門電路
1.8 互連
1.9 動態CMOS
1.10 低功耗CMOS
1.11 雙穩態電路
1.12 存儲器
1.13 輸入／輸出和接口電路
1.14 實際的觀點
1.15 小結
練習題
參考文獻
第2章 製造
2.1 引言
2.2 基本的CMOS製造工序
2.3 先進的高性能CMOS工藝
2.3.1 銅佈線
2.3.2 金屬柵
2.3.3 高K柵介質
2.4 光刻和掩膜版
2.5 版圖和設計規則
2.5.1 最小線寬和間隔
2.5.2 接觸孔和過孔
2.6 測試及成品率
2.7 封裝
2.8 老化和加速試驗
2.9 實際的觀點
2.10 總結
練習題
參考文獻
第3章 半導體和pn結
3.1 引言
3.2 矽的晶體結構
3.3 能帶
3.4 載流子濃度
3.4.1 本征矽
3.4.2 n型矽
3.4.3 p型矽
3.5 電流傳輸
3.6 載流子連續性方程
3.7 泊松方程
3.8 pn結
3.8.1 零偏置（熱平衡）
3.8.2 耗盡電容
3.8.3 正向偏置電流
3.8.4 反向偏置
3.8.5 反向擊穿
3.9 金屬——半導體結
3.10 SPICE模型
3.11 實際的觀點
3.12 小結
練習題
參考文獻
第4章 MOS晶體管
4.1 引言
4.2 MOS電容
4.3 閾值電壓
4.4 MOSFET的電流一電壓特性
4.4.1 線性區工作
……
第5章 MOS門電路
第6章 靜態CMOS
第7章 互連線
第8章 動態CMOS
第9章 低功耗CMOS電路
第10章 雙穩態電路
第11章 數字存儲器
第12章 輸入／輸出和接口電路
