商品簡介
L'industrie micro lectronique a volu vers un r gime l' chelle nanom trique qui a permis d'obtenir une faible puissance et une vitesse de commutation lev e dans les circuits lectroniques. Selon l'International Technology Roadmap for Semiconductors ITRS-2020, la technologie actuelle a atteint une taille de caract ristique inf rieure 10 nm et se rapproche de 5,6 nm. Afin de maintenir la r duction d' chelle, il est non seulement essentiel de d velopper de nouvelles architectures de dispositifs, mais il peut galement tre n cessaire de remplacer le silicium. Intel a mis au point des dispositifs base de transistors trois grilles d'une longueur de 14 nm. Les FET plusieurs grilles et les structures de transistor nanofils conviennent aux noeuds technologiques inf rieurs 14 nm. Cependant, on tudie la possibilit de d velopper des nanofils verticaux avec des mat riaux compos s III-V, des mat riaux d'oxyde de grille hauteκ et des grilles m talliques plus performantes.
