Die Rolle des Ausglühens bei der Grenzflächentechnik in Ge-MOS-Bauelementen

Dielektrika mit hoher Dielektrizit酹skonstante und geeignete Substrate werden im Hinblick auf ihre Verwendung im VLSI-Design intensiv untersucht. Hafniumoxid (HfO2) ist ein vielversprechender Kandidat f die n踄hste Generation von Gate-Dielektrika, da es eine relativ hohe Dielektrizit酹skonstante 25, eine gro e Bandlke, gute thermische Stabilit酹 und eine relativ hohe freie Reaktionsenergie mit dem Substratmaterial aufweist. In jgster Zeit haben elektronische Bauelemente auf Ge-Basis wieder betr踄htliche Aufmerksamkeit erlangt, und Ge kann L飉ungen f wichtige Probleme bieten, mit denen die Si-Technologie f fortschrittliche CMOS-Bauelemente konfrontiert ist; dies ist haupts踄hlich auf die h鐬ere Mobilit酹 sowohl der L鐼her als auch der Elektronen im Ge-Substrat zurkzufren. Daher ist dieses Buch f die Leser nzlich, um einige wichtige Themen der Ge-Technologie f Hochfrequenz-Bauelemente zu kennen.