Dünne Zinnsulfid-SnS-Filme für Photovoltaik-Anwendungen

Diese Studie berichtet er das Wachstum von Zinnsulfid-Dnfilmen unter Verwendung einer kostengstigen chemischen Badabscheidungstechnik. Es ist so wichtig, die Entwicklung von Dnfilmen zu kontrollieren. Es wurden verschiedene Analysen durchgefrt, wie z. B.: XRD, SEM, EDS, AFM, Spektrophotometrie und TSC. All diese Analysen erm鐷lichten es uns, die physikalischen Eigenschaften von SnS-Dnfilmen f Solarzellen zu verbessern. In diesem Zusammenhang haben wir Zinnsulfid-Dnschichten entwickelt, die als Absorbermaterial in Photovoltaikger酹en verwendet werden. Zu diesem Zweck wurden verschiedene Dotierungen wie Eisen, Silber und Gallium sowie ein Glen in einer kontrollierten Atmosph酺e vorgenommen, um die Leitf鄣igkeit dieser Dnschichten zu erh鐬en. Die Dotierung erfolgte w鄣rend des Wachstumsprozesses durch Zugabe einer entsprechenden Konzentration der w酲srigen L飉ungen, die Fe2+-, Ag2+- und Ga2+-Ionen enthielten. Die physikalischen Eigenschaften wurden durch XRD, AFM, SEM und TSC untersucht. Sp酹er wurde festgestellt, dass die dotierten SnS-Dnschichten nicht zu einer Verringerung des spezifischen Widerstands fren. Daher werden derzeit weitere physikalische Charakterisierungen durchgefrt, um die Eigenschaften der Dnschichten und insbesondere den spezifischen Widerstand durch eine geeignete W酺mebehandlung unter kontrollierter Atmosph酺e zu optimieren.