Untersuchung der optoelektronischen Eigenschaften von HfxSi1-xO2-Legierungen

In dieser Arbeit haben wir die dynamische Stabilit酹, die strukturellen, elektronischen und thermoelektrischen Eigenschaften von Legierungen vom Typ HfxSi1-xO2 untersucht, wobei wir die Methode der linearisierten erweiterten ebenen Wellen mit einem Gesamtpotential (FP-LAPW) im Rahmen der Dichtefunktionaltheorie (DFT) verwendet haben, die im Code Wien2k implementiert ist. Das Austausch- und Korrelationspotential wurde mit verschiedenen N鄣erungen wie GGA behandelt. Die von uns erzielten elektronischen Ergebnisse zeigten, dass HfSi3O8 unter Verwendung der GGA-N鄣erung einen Halbleitercharakter mit einer direkten Bandlke von 3,909 eV aufweist. F die Verbindungen HfSiO4 und Hf3SiO8 zeigen die Ergebnisse der Bandstrukturuntersuchung, dass beide Verbindungen Halbleiter mit einer indirekten Bandlke sind, mit Vorhersagewerten von 7,2 eV f HfSiO4 und 5,2 eV f Hf3SiO8. Die erhaltenen thermoelektrischen Eigenschaften und die dynamische Stabilit酹 zeigen, dass diese Verbindungen sehr steif, formstabil und stark geordnet sind.