商品簡介
Neste trabalho, metal e metaloide foram fabricados sobre um substrato de vidro como amostras de filme fino e o seu comportamento el彋rico revelou-se semelhante ao de um trans疄tor de efeito de campo de filme fino. Contactos met嫮icos (Al/Cu) e um canal de metaloide (Se) foram utilizados como um trans疄tor de efeito de campo no substrato de vidro atrav廥 da deposi誽o de contactos met嫮icos de fonte, dreno e porta superior. O fluxo de portadores da fonte para o dreno pode ser controlado com uma porta met嫮ica Schottky. A corrente do canal foi controlada por uma camada de deple誽o de largura vari嫛el atrav廥 do contacto met嫮ico e a espessura do canal condutor foi modulada. A fonte e o dreno da estrutura FET foram definidos pelas camadas met嫮icas de Al ou Cu, depositadas sequencialmente sobre o Se nos padr髊s de contacto definidos por evapora誽o t廨mica, utilizando uma unidade de revestimento em v塶uo. Foram determinadas as suas propriedades el彋ricas. O dispositivo ?utilizado para controlar a corrente entre o dreno e a fonte a diferentes potenciais entre a porta e a fonte ($V_{GS}$), induzindo a acumula誽o de carga livre na jun誽o metal-semicondutor. Filmes finos de selenieto de alum璯io foram recozidos a 50 C e 100 C, confirmado posteriormente por Difra誽o de Raios X e espetroscopia 鏒ica.
