Entwurf Und Herstellung Eines Metall-Metalloid-Dünnschichttransistors

In dieser Arbeit wurden Metall und Metalloid auf einem Glassubstrat als Dnschichtproben hergestellt, wobei ein elektrisches Verhalten festgestellt wurde, das dem eines Dnschicht-Feldeffekttransistors 鄣nelt. Metallkontakte (Al/Cu) und ein Metalloid-Kanal (Se) wurden als Feldeffekttransistor auf dem Glassubstrat verwendet, indem Source-, Drain- und Top-Gate-Metallkontakte aufgebracht wurden. Der Tr輍erfluss von der Source zum Drain kann mit einem Schottky-Metall-Gate gesteuert werden. Der Kanalstrom wurde durch eine Verarmungsschicht variabler Breite er den Metallkontakt gesteuert, wodurch die Dicke des leitenden Kanals moduliert wurde. Source und Drain der FET-Struktur wurden durch Metallschichten aus Al oder Cu definiert, die nacheinander auf das Se in den definierten Kontaktmustern durch thermisches Verdampfen unter Verwendung einer Vakuum-Beschichtungsanlage aufgebracht wurden. Ihre elektrischen Eigenschaften wurden bestimmt. Das Ger酹 wird verwendet, um den Strom zwischen Drain und Source bei unterschiedlichem Potenzial zwischen Gate und Source ($V_{GS}$) zu steuern, wodurch eine freie Ladungsakkumulation am Metall-Halbleiter-鈁ergang induziert wird. Dnschichten aus Aluminiumselenid wurden bei 50 C und 100 C getempert und anschlie end durch R霵tgenbeugung und optische Spektroskopie best酹igt.