商品簡介
Dans ce travail, le m彋al et le m彋allo骾e ont 彋?fabriqu廥 sur un substrat de verre sous forme d'嶰hantillons en couches minces, et leur comportement 幨ectrique s'est av廨?similaire ?celui d'un transistor ?effet de champ ?couches minces. Des contacts m彋alliques (Al/Cu) et un canal m彋allo骾e (Se) ont 彋?utilis廥 comme transistor ?effet de champ sur le substrat de verre en d廧osant les contacts m彋alliques de source, de drain et de grille sup廨ieure. Le flux de porteurs de la source vers le drain peut 皻re contr犨?par une grille m彋allique Schottky. Le courant du canal a 彋?contr犨?par une couche de d廧l彋ion de largeur variable via le contact m彋allique, modulant ainsi l'廧aisseur du canal conducteur. La source et le drain de la structure FET ont 彋?d嶨inis par des couches m彋alliques d'Al ou de Cu d廧os嶪s s廦uentiellement sur le Se selon des motifs de contact d嶨inis par 憝aporation thermique ?l'aide d'une unit?de rev皻ement sous vide. Leurs propri彋廥 幨ectriques ont 彋?d彋ermin嶪s. Le dispositif est utilis?pour contr犨er le courant entre le drain et la source ?diff廨ents potentiels entre la grille et la source ($V_{GS}$), induisant une accumulation de charges libres ?la jonction m彋al-semi-conducteur. Les couches minces de s幨幯iure d'aluminium ont 彋?recuites ?50 C et 100 C, confirm嶪s ensuite par diffraction des rayons X et spectroscopie optique.
