Test Pattern Generation Using Boolean Proof Engines

檢索增強生成 (Retrieval Augmented Generation，RAG) 系統能夠自動選擇領域特定的上下文供大語言模型(Large Language Model，LLM)使用，這大幅提升了LLM生成準確且內容真實的響應的能力。GraphRAG模式採用知識圖譜構建RAG的輸入，巧妙利用數據中的現有關係，生成內容豐富且相關性高的提示詞。 《GraphRAG實踐：使用知識圖譜提升LLM和RAG應用性能》一書詳細介紹了如何構建和部署生產級別的GraphRAG系統，如何從文本中提取結構化知識，以及如何融合基於向量與圖的檢索方法。另外，還涵蓋了構建向量相似性搜索檢索工具、開發Agentic RAG應用及評估性能與準確性等諸多內容的實踐案例。核心內容：•嵌入技術、向量相似性搜索與混合搜索 •將自然語言轉換為Cypher數據庫查詢語句 •微軟的GraphRAG管道•Agentic RAG

歡迎閱讀C#編程和.NET領域最全面的指南！《C#和.NET高級編程(第11版)》沒有停留在照步驟實現功能的層面，而是深入講解那些讓普通開發者進階的核心知識點。本書第11版新增了關於Entity Framework、Razor Pages、Web API等重磅內容，全面覆蓋了C# 10和.NET 6的更新特性，旨在助力開發人員在C#技術方面拓展批判性思維。本書涵蓋了ASP.NET Core、Entity Framework Core等內容，詳解了新統一的.NET平臺的最新更新，包括性能改進、基於.NET 6的Windows桌面應用開發、XAML工具的更新，以及數據文件和數據處理。書中所有代碼示例均採用C# 10更新特性重寫，兼顧了實用性與前沿性。翻閱本書，你將明白它成為全球C#開發人員首選參考書的原因：它能幫助你夯實面向對象開發基礎，掌握特性與反射、泛型與集合，以及許多其他書籍中鮮少涉及的高級主題(如CIL操作碼、動態程序集發射)。本書將助你樹立實際編寫C#代碼的信心，自由探索.NET生態的無限潛力。• 探索C# 10的新特性，包括對記錄的更新、新增的記錄結構、全域和隱式using指令、文件級名稱空間、擴展屬性模式等• 運用C#及現代框架，開發服務端、Web端及智能客戶端應用• 快速掌握使用MVC和Razor Pages開發ASP.NET Core Web應用的技術，包括視圖組件、自定義標簽助手、驗證機制、GDPR支持和區域開發• 構建支持版本控制、增強型Swagger和基本身份驗證的ASP.NET RESTful服務• 深入學習Entity Framework Core，構建真實世界中以數據為中心的應用。本版新增了一些深入介紹的內容，包括對SQL Server時態表的支持• 基於.NET 6，使用Windows Presentation Foundation開發Windows桌面應用• 理解.NET底層設計理念• 探索.NET 6的新特性，包括單文件應用、輕量級容器鏡像等

《證明責任、假定與論證》(Burden of Proof, Presumption and Argumentation)是加拿大溫莎大學道格拉斯•沃爾頓於2014年出版的法律推理方面的著作。在本書中，作者結合人工智能領域的新近研究成果，在對大量非法律的和法律的案例進行分析的基礎上，探討了不同語境下的證明責任形塑相關論證的方式，並以證明責任和假定這兩個概念為基礎，構建出一個適合庭審中證據推理語境以及日常會話語境中的論證的模型。在該模型中，證明責任決定了兩個對論證進展有著重要意義的問題：一是在何種情形下論證者負有為其主張提供支持性論證的義務；二是相關論證者需要為其被質疑的主張提供何種強度上的支持性論證。

內容簡介 本書對28納米多晶矽柵氧邏輯技術的嵌入式鍺矽源漏外延工藝開發及相應PMOSFET器件關鍵問題進行研究，實現高質量鍺矽源漏的外延。在此基礎上開發出一種利用離子注入技術提升源漏特性的新型工藝，能夠更好地滿足28納米低功耗(射頻)芯片量產要求。同時，本書簡要介紹了適用于未來FinFET結構的鍺矽源漏外延工藝。Abstract This book investigates the development of the embedded SiGe source/drain epitaxy process and the corresponding key issues of PMOSFETs based on 28 nm logic technology with polycrystalline Si/SiON gate structure, successfully achieving high-quality SiGe source/drain epitaxy. A novel process using ion implantation technology to improve source/drain characteristics has also been developed, which can better meet the mass production requirements of 28 nm low-power (RF) chips. This book also briefly introduces the embedded SiGe source/drain epitaxy process suitable for future FinFETs.