StevenH．Voldman博士由于在CMOS、SOI和SiGe工藝下的靜電放電(ESD)保護方面所作出的貢獻，而成為了ESD領域的第一位IEEEFellow。他于1979年在布法羅大學獲得了工程學學士學位；并于1981年在麻省理工學院(MIT)獲得了電子工程方向的碩士學位；以后又在MIT獲得第二個電子工程學位(工程碩士學位)；1986年他在IBM的駐地研究員計劃下從佛蒙特大學獲得了工程物理學碩士學位，并于1991年從該校獲得了電子工程的博士學位。他作為IBM開發團隊的一員已有25年的歷史，主要致力于半導體器件物理、器件設計和可靠性[如軟失效率(SER)、熱電子、漏電機制、閂鎖和ESD]的研究工作。Voldman博士參與到閂鎖技術的研發已有27年之久。他的工作主要針對用于雙極型SRAM、CMOSDRAM、CMOS邏輯、SOI、BiCMOS、SiGe、RFCMOS、RFSOI、智能電源和圖像處理技術中的工藝和電路設計的研究。在2008年，他成為了奇夢達DRAM開發團隊的一員，從事70nm、58nm和48nmCMOS工藝的研究。同年，他成立了一個有限責任公司，并作為臺積電45mnESD和閂鎖開發團隊的一部分在其總部中國臺灣新竹工作。目前他作為ESD和閂鎖研發的高級首席工程師效力于Intersil公司。來萍，畢業于南京電子器件研究所，是工業和信息化部電子第五研究所研究員，電子學會會員，IEEE會員，廣東省信息技術標準化技術委員會委員。承擔過十幾項國家級電子元件可靠性科研項目，在電子產品可靠性領域擁有豐富的經驗。主要技術研究方向包括電子元器件失效分析、微波器件可靠技術及應用、集成電路靜電放電檢測與評價、電子產品制造過程中的靜電防護技術等。
