Studien und Charakterisierung von ZnS-Dünnschichten

Die II-VI-Verbindungshalbleiter sind aufgrund ihrer Anwendung in verschiedenen elektro-optischen Ger酹en von gro er Bedeutung. Dne ZnS-Schichten finden viele weitere Anwendungen im Bereich der Herstellung optoelektronischer Ger酹e wie UV-Leuchtdioden, blaue Leuchtdioden, emittierende Flachbildschirme, Elektrolumineszenzger酹e und Antireflexionsbeschichtungen in der Solarzellentechnik. F die Herstellung von ZnS-Dnschichten wurden verschiedene Methoden angewandt. Wir haben ZnS-Filme mit der Methode der chemischen Badabscheidung unter Verwendung von Natriumhydroxid als Komplexbildner abgeschieden. Die strukturellen und morphologischen Eigenschaften der Filme wurden mit R霵tgenbeugung (XRD) und dem Rasterelektronenmikroskop untersucht. Das XRD zeigt, dass die abgeschiedene Schicht polykristallin ist und eine kubische Struktur aufweist. Die Korngr?e liegt sch酹zungsweise im Bereich von 35-70 nm. Die Kristallinit酹 des ZnS-Films wurde mittels HRTEM mit Hilfe des Elektronenbeugungsmusters analysiert. Die Filme zeigen gute optische Eigenschaften mit hoher Durchl酲sigkeit im sichtbaren Bereich und die Bandlke wurde mit 3,3 eV - 2,1 eV bestimmt. ZnS-Filme k霵nen als Pufferschichten auf CdTe-Solarzellen verwendet werden.