Embedded and Multimedia Computing Technology and Service

本書從元宇宙的起源和現實應用場景出發，基於元宇宙的“BIGCHINA”技術框架，為讀者依次揭開元宇宙背後八大硬科技—區塊鏈(Blockchain)技術、交互(Interactivity)技術、通信技術(Communication Technology，5G、6G)、雲和邊緣計算(Cloud and Edge Computing)技術、高性能計算和量子計算(High-Performance Computing and Quantum Computing)技術、物聯網和機器人(IoT and Robotics)技術、網絡(Network)技術、人工智能(Artificial Intelligence)技術的神秘面紗。本書將上述八大支撐技術與元宇宙中的諸多實際和潛在應用相結合，生動地繪製出一幅元宇宙的“技術圖譜”，為想要瞭解元宇宙及其背後核心技術的讀者提供有趣的科普閱讀體驗。此外，本書在一定程度上突破了從單一技術視域分析元宇宙的局限，對讀者瞭解當前元宇宙技術整體發展現狀和未來趨勢有一定的借鑒意義。

內容簡介 本書對28納米多晶矽柵氧邏輯技術的嵌入式鍺矽源漏外延工藝開發及相應PMOSFET器件關鍵問題進行研究，實現高質量鍺矽源漏的外延。在此基礎上開發出一種利用離子注入技術提升源漏特性的新型工藝，能夠更好地滿足28納米低功耗(射頻)芯片量產要求。同時，本書簡要介紹了適用于未來FinFET結構的鍺矽源漏外延工藝。Abstract This book investigates the development of the embedded SiGe source/drain epitaxy process and the corresponding key issues of PMOSFETs based on 28 nm logic technology with polycrystalline Si/SiON gate structure, successfully achieving high-quality SiGe source/drain epitaxy. A novel process using ion implantation technology to improve source/drain characteristics has also been developed, which can better meet the mass production requirements of 28 nm low-power (RF) chips. This book also briefly introduces the embedded SiGe source/drain epitaxy process suitable for future FinFETs.

本書對全球典型的科技創新中心的服務業態體系進行了全面梳理，介紹其先進經驗與具體做法，對照上海面向科技創新的各種服務業態，深入分析其現狀與不足，探尋引發問題的原因，並提出相應的對策建議。