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半導體物理與器件實驗教程(簡體書)
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半導體物理與器件實驗教程(簡體書)

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商品簡介

商品簡介

本書主要分為半導體物理實驗及半導體器件實驗兩部分。半導體物理實驗包括單
晶矽材料的激光定向、單晶矽中晶體缺陷的腐蝕顯示、半導體材料導電類型測定、四探針
法測試半導體電阻率、霍爾效應實驗、高頻光電導法測少子壽命、半導體材料光學特性的
測量、MOS 結構 C-V 特性測量、PN 結勢壘特性及雜質的測試分析、PN 結正向特性的研
究和應用等十個實驗。半導體器件實驗包括二極管特性參數測量、穩壓二極管特性測
量、雙極型晶體管直流參數測量、場效應管直流參數測量、晶體管基極電阻測量、晶體管
特徵頻率測量、數字電橋測量電位器的電阻值、集成電路特性測量、太陽能電池測量等十
個實驗。

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