Etude des propriétés optoélectroniques des alliages HfxSi1-xO2

Dans ce travail nous avons 彋udi?la stabilit?dynamique, propri彋廥 structurales, 幨ectroniques, et thermo幨ectriques des alliages de type HfxSi1-xO2, en utilisant la m彋hode des ondes planes augment嶪s lin嶧ris嶪s avec un potentiel total (FP-LAPW) dans le cadre de la th廩rie de la fonctionnelle de la densit?(DFT) impl幦ent嶪 dans le code Wien2k. Le potentiel d'嶰hange et de corr幨ation 彋ait trait?par diff廨entes approximations comme GGA. Les r廥ultats 幨ectroniques que nous avons obtenus ont montr?que HfSi3O8 poss鋄e un caract鋨e de semi-conducteur avec un gap direct 嶲al 3.909 eV, utilisant l'approximation GGA.Pour les compos廥 HfSiO4 et Hf3SiO8, les r廥ultats de l'彋ude de structure de bande montrent que les deux compos廥 sont des semi-conducteursa gap indirect avec des valeurs de pr嶮iction 嶲ales ?7,2 eV et 5,2 eV pour HfSiO4 et Hf3SiO8, respectivement.Les propri彋廥 thermo幨ectriques et la stabilit?dynamique obtenues indiquent que ces compos廥 sont tr鋊 rigides, ind嶨ormables et fortement ordonn廥.